Вышедшие номера
Закономерности поведения температурных зависимостей удельного сопротивления кристаллов твердых растворов (Bi2-xSbx)Te3 (0<x<2)
Исследование выполнено за счет гранта РНФ, при финансовой поддержке правительства Забайкальского края, № 22-22-20055
Степанов Н.П.1,2, Иванов М.С.3, Степанова Л.Э.1,2, Виноградова Л.В.3
1Забайкальский государственный университет, Чита, Россия
2Забайкальский институт предпринимательства --- филиал СибУПК, Чита, Россия
3Забайкальский институт железнодорожного транспорта, Чита, Россия
Email: np-stepanov@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 21 июня 2022 г.
Принята к печати: 8 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.

Показано, что изменение величины удельного сопротивления кристаллов твердых растворов (Bi2-xSbx)Te3 (0<x<2) p-типа в области температур, предшествующих наступлению собственной проводимости, обусловлено не только изменением статического времени релаксации, поведение которого в диапазоне температур от 80 до 300 K определяется в основном рассеянием носителей на колебаниях кристаллической решетки, но и изменением концентрации легких дырок. Последнее является следствием перехода носителей заряда из подзоны тяжелых дырок в подзону легких, в результате чего концентрация легких дырок, дающих основной вклад в электропроводность, уменьшается с ростом температуры. Как следствие, энергия плазмона, пропорциональная концентрации носителей заряда, также уменьшается с ростом температуры, а энергия указанного перехода, сопоставимая с энергией плазмона, увеличивается. В связи с этим кристаллы (Bi2-xSbx)Te3 обладают специфической особенностью, обусловленной сближением энергии плазмона и межзонного перехода, что создает условия для увеличения интенсивности электрон-плазмонного взаимодействия. Ключевые слова: термоэлектрические материалы, теллуриды висмута и сурьмы, удельное сопротивление, межзонные переходы, плазма свободных носителей заряда.
  1. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Вi2Te3 (М., Наука, 1972)
  2. Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина. Неорг. матер., 36 (7), 810 (2000)
  3. В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, П.М. Тарасов, Н.А. Юзеева. ФТТ, 52 (9), 1707 (2010)
  4. G. Wang, T. Cagin. Phys. Rev. B, 76, 075201 (2007)
  5. V.A. Greanya, W.C. Tonjes, R. Liu, C.G. Olson, D.-Y. Chung, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B, 62 (24), 16425-9 (2000)
  6. P. Larson, V.A. Greanya, W.C. Tonjes, R. Liu, S.D. Mahanti, C.G. Olson. Phys. Rev. B, 65, 085108-9 (2000)
  7. А.А. Кудряшов. Канд. дис. физ.-мат. наук: 01.04.09 --- Физика низких температур (М., МГУ, 2016)
  8. С.А. Немов, Н.М. Благих, Л.Д. Иванова. ФТТ, 56 (9), 1696 (2014)
  9. Н.П. Степанов, А.А. Калашников, О.Н. Урюпин. ФТП, 55 (7), 586 (2021)
  10. В.М. Грабов, А.С. Парахин, Л.С. Багулин, О.Н. Урюпин. Изв. РГПУ им. А.И. Герцена, 6 (15), 86 (2006)
  11. Н.П. Степанов, А.А. Калашников. Опт. и спектр., 129, 619 (2021)
  12. P. Lostak, J. Navratil, J. Sramkova, J. Horak. Phys. Status Solidi A, 135, 519 (1993)
  13. P. Lostak, S. Karamazov, J. Horak. Phys. Status Solidi A, 143, 271 (1994)
  14. L.R. Testardi, J.N. Bierly, F.J. Danahoe. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1209 (1962)
  15. C.H. Champness, A.L. Kipling. J. Phys. Chem. Sol., 27, 1409 (1966)
  16. Дж. Займан. Электроны и фононы (М., ИЛ, 1962)
  17. Ф. Блатт. Физика электронной проводимости в твердых телах (М., Мир, 1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.