Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения после нейтронного воздействия
Иванов А.С.1, Павельев Д.Г.2, Оболенский С.В.1,2, Оболенская Е.С.2
1НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: ivanov.2582@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

Продолжено изучение радиационной стойкости источника субтерагерцового излучения из гетеродина на основе генератора на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке GaAs/AlAs. Экспериментально измерены зависимости выходной мощности от частоты генератора на диоде Ганна до и после облучения нейтронами. Произведена аналитическая оценка источника субтерагерцового излучения к нейтронному излучению с флюенсами 3.5·1012, 2.85·1013, 1014 см-2. Ключевые слова: радиационная стойкость, сверхрешетка, диод Ганна, терагерцы.
  1. А.С. Иванов, Д.Г. Павельев, С.В. Оболенский, Е.С. Оболенская. ЖТФ, 91 (10), 1501 (2021)
  2. C. Risacher, V. Vassilev, R.R. Monje, I. Lapkin, V. Belitsky, A.B. Pavolotsky, M. Pantaleev, P. Bergman, S.-E. Ferm, E. Sundin, M. Svensson, M. Fredrixon, D. Meledin, L.-G. Gunnarsson, M. Hagstrom, L.-A. Johansson, M. Olberg, R.S. Booth, H. Olofsson, L.-A. Nyman. Astronomy \& Astophysics, 454, 17 (2016). DOI: 10.1051/0004-6361:20065373
  3. В.Л. Вакс, Е.Г. Домрачева, Е.А. Собакинская, М.Б. Черняева. УФН, 184 (7), 139 (2014). DOI: 10.3367/UFNr.0184.201407d.0739
  4. T. Kurner, S. Priebe. J Infrared Milli Terahz Waves, 35, 53 (2014). DOI: 10.1007/s10762-013-0014-3
  5. C. Jastrow, K.Munter, R.Piesiewicz, T.Kurner, M. Koch, T. Kleine-Ostmann. Electron. Lett., 44, 3 (2008). DOI: 10.1049/el:20083359
  6. Ho-Jin Song, K. Ajito, A. Wakatsuki, Y. Muramoto, N. Kukutsu, Y. Kado, T. Nagatsuma. 2010 IEEE Int. Topical Meeting on Microwave Photonics (Montreal, QC, Canada, October 2010). DOI: 10.1109/MWP.2010.5664230
  7. J.F. Federici, B. Schulkin, F. Huang, D. Gary, R. Barat, F. Oliveira, D. Zimdars. Semicond. Sci. Technol., 20, 266 (2005). DOI: 10.1088/0268-1242/20/7/018
  8. R.J. Fitch, R. Osiander. John Hopkins APL Techn. Digest, 25, 348(2004) https://www.researchgate.net/publication/228861430_Terahertz_waves_for_ communications_and _sensing/link/56c4becb08ae7fd4625a4507/download;
  9. V. Vaks, A. Illiyk, A.Panin, S. Pripolsin, S. Basov, D. Pavelyev. Proc. 37th Eur. Microwave Conf. (Munich, Germany, October 2007). DOI: 10.1109/EUMC.2007.4405319
  10. W. Abd El-Basit, S. Mohamed El-Ghanam, A. Mosleh Abdel-Maksood, S. Abd El-Tawab Kamh, F. Abd El-Moniem S. Soliman. Nuclear Eng. and Technol., 48, 1219 (2016). DOI: 10.1016/j.net.2016.04.009
  11. Е.С. Оболенская, Е.А. Тарасова, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 50 (12), 1605(2016). DOI: 10.21883/ftp.2016.12.43884.30
  12. Д.Г. Павельев, А.П. Васильев, В.А. Козлов, Е.С. Оболенская. ФТП, 52 (11), 1337 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46595.17
  13. А.С. Иванов, С.В. Оболенский. Тез. докл. 3-й Росс.-Бел. конф. Современная элементная база радиоэлектроники и ее применение" им. О.В. Лосева (Нижний Новгород, Россия, 2017) с. 20
  14. Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск, Наука и техника, 1978)
  15. Е.С. Оболенская, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский, А.В. Мурель, В. И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1507 (2015)
  16. А.С. Иванов, Д.Г. Павельев, Ю.И. Кошуринов, А.Н. Панин, В.Л. Вакс, В.И. Гавриленко, А.В. Антонов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 46 (1), 125 (2012)