Впервые исследовано влияние отжига на параметры 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре. Энергия электронов составляла 0.9 МэВ, облучение проводилось при температурах 23, 300 и 500^oС в диапазоне флюенсов 1·10¹⁶-1.3·10¹⁷ см^-2. Результаты отжига образцов, облученных при высоких температурах, качественно отличаются от результатов отжига образцов, облученных тем же флюенсом при комнатной температуре. Полученные результаты свидетельствуют о том, что при высокотемпературном ("горячем") облучении спектр вводимых в SiC радиационных дефектов существенно отличается от спектра дефектов, вводимых при комнатной температуре. При больших значениях флюенса при температурах облучения 300 и 500^oС обнаружен эффект "обратного отжига", когда сопротивление базы диода не падает, а возрастает в результате отжига. Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, электронное облучение, отжиг, электрические свойства.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.