Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сравнение гетероструктур А^IIIВ^V, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51550.47

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Аспиранты, 20-32-90229

Сушков А.А.

¹, Павлов Д.А.

¹, Андрианов А.И.¹, Шенгуров В.Г.

¹, Денисов C.А.

¹, Чалков В.Ю.

¹, Крюков Р.Н.

¹, Байдусь Н.В.¹, Юрасов Д.В. ², Рыков А.В. ¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: sushkovartem@gmail.com, pavlov@unn.ru, kriukov.ruslan@yandex.ru, inquisitor@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.

Принята к печати: 19 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сформированы и исследованы гетероструктуры А^IIIВ^V/Ge/Si (001), А^IIIВ^V/Ge/SOI (001), А^IIIВ^V/GaAs (001). В А^IIIВ^V/Ge/Si буферный слой Ge был выращен на подложке Si (001) методом газофазного осаждения с разложением моногермана на "горячей проволоке". В А^IIIВ^V/Ge/SOI буферный слой Ge был выращен на подложке SOI (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием режима двухстадийного роста. Рост слоев А^IIIВ^V осуществлялся методом химического осаждения металлоорганических соединений из газовой фазы. Показано, что платформа Ge/SOI, созданная с применением режима двухстадийоного роста, позволяет наращивать слои А^IIIВ^V, не уступающие по кристаллическому и оптическому качеству таким же слоям, сформированным на платформе Ge/Si. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, метод "горячей проволоки", кремний-на-изоляторе, полупроводники А^IIIВ^V, просвечивающая электронная микроскопия.

Yu.A. Vlasov, S.J. McNab. Opt. Express, 12 (8), 1622 (2004)
В. Юдинцев. Электроника: наука, технология, бизнес, 5 (79), 72 (2007)
J.S. Park, M. Tang, S. Chen, H. Liu. Crystals, 10 (12), 1163 (2020)
Yu.B. Bolkhovityanov, O.P. Pchelyakov. Physics--Uspekhi, 51 (5), 437 (2008)
N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik. Crystals, 8 (8), 311 (2018)
J.W. Lee, H. Shichijo, H.L. Tsai, R.J. Matyi. Appl. Phys. Lett., 50 (1), 31 (1987)
N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik. Semiconductors, 51 (11), 1527 (2017)
D.V. Yurasov, A.I. Bobrov, V.M. Daniltsev, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin. Semiconductors, 49 (11), 1415 (2015)
V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, Yu.N. Buzynin, M.N. Drozdov, A.N. Buzynin, P.A. Yunin. Techn. Phys. Lett., 41 (1), 36 (2015)
P.V. Volkov, А.V. Goryunov, D.N. Lobanov, А.Yu. Lukyanov, А.V. Novikov, А.D. Tertyshnik, М.V. Shaleev, D.V. Yurasov. J. Cryst. Growth, 448, 89 (2016)
A.A. Sushkov, D.A. Pavlov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, R.N. Kryukov, E.A. Pitirimova. Semiconductors, 54 (10), 1332 (2020)
А.В. Рыков, Р.Н. Крюков, И.В. Самарцев, П.А. Юнин, В.Г. Шенгуров, А.В. Зайцев, Н.В. Байдусь. Письма ЖТФ, 47 (8), 37 (2021)
N. Hayafuji, H. Kizuki, M. Miyashita, K. Kadoiwa, T. Nishimura, N. Ogasawara, H. Kumabe, T.M. Tada. Jpn. J. Appl. Phys., 30, 459 (1991)
К.В. Шалимова. Физика полупроводников (СПб., Лань, 2010)
B. Wang, G.J. Syaranamual, K.H. Lee, S. Bao, Y. Wang, K.E. Kian Lee, E.A. Fitzgerald, S.J. Pennycook, S. Gradecak, J. Michel. Semicond. Sci. Technol., 35 (9), 095036 (2020)
C. Cornet, S. Charbonnier, I. Lucci, L. Chen, A. Letoublon, A. Alvarez, K. Tavernier, T. Rohel, R. Bernard, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournie, Y. Leger, G. Patriarche, L. Largeau, A. Ponchet, P. Turban, N. Bertru. Phys. Rev. Mater., 4, 053401 (2020)
T.S. Kuan, C.-A. Chang. J. Appl. Phys., 54 (8), 4408 (1983)
J. Fauchera, T. Masuda, M.L. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 34 (4), 041203 (2016)
D.R. Rasmussen, S. McKernan, C.B. Carter. Phys. Rev. Lett., 66 (20), 2629 (1991)
J.J. Wortman, R.A. Evans. J. Appl. Phys., 36 (1), 153 (1965)
D.V. Yurasov, N.A. Baidakova, M.N. Drozdov, E.E. Morozova, M.A. Kalinnikov, A.V. Novikov. Semiconductors, 53 (7), 882 (2019)
R. Alcotte, M. Martin, J. Moeyaert, R. Cipro, S. David, F. Bassani, F. Ducroquet, Y. Bogumilowicz, E. Sanchez, Z. Ye, X.Y. Bao, J.B. Pin, T. Baron. APL Materials, 4 (4), 046101 (2016)
V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109 (6), 061111 (2016)
A.V. Rykov, M.V. Dorokhin, P.S. Vergeles, N.V. Baidus, V.A. Kovalskiy, E.B. Yakimov, O.A. Soltanovich. J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012014 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель