Вышедшие номера
Сравнение гетероструктур АIIIВV, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Аспиранты, 20-32-90229
Сушков А.А. 1, Павлов Д.А. 1, Андрианов А.И.1, Шенгуров В.Г. 1, Денисов C.А. 1, Чалков В.Ю. 1, Крюков Р.Н. 1, Байдусь Н.В.1, Юрасов Д.В. 2, Рыков А.В. 1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: sushkovartem@gmail.com, pavlov@unn.ru, kriukov.ruslan@yandex.ru, inquisitor@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

Сформированы и исследованы гетероструктуры АIIIВV/Ge/Si (001), АIIIВV/Ge/SOI (001), АIIIВV/GaAs (001). В АIIIВV/Ge/Si буферный слой Ge был выращен на подложке Si (001) методом газофазного осаждения с разложением моногермана на "горячей проволоке". В АIIIВV/Ge/SOI буферный слой Ge был выращен на подложке SOI (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием режима двухстадийного роста. Рост слоев АIIIВV осуществлялся методом химического осаждения металлоорганических соединений из газовой фазы. Показано, что платформа Ge/SOI, созданная с применением режима двухстадийоного роста, позволяет наращивать слои АIIIВV, не уступающие по кристаллическому и оптическому качеству таким же слоям, сформированным на платформе Ge/Si. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, метод "горячей проволоки", кремний-на-изоляторе, полупроводники АIIIВV, просвечивающая электронная микроскопия.