"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнение гетероструктур АIIIВV, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Аспиранты, 20-32-90229
Сушков А.А. 1, Павлов Д.А. 1, Андрианов А.И.1, Шенгуров В.Г. 1, Денисов C.А. 1, Чалков В.Ю. 1, Крюков Р.Н. 1, Байдусь Н.В.1, Юрасов Д.В. 2, Рыков А.В. 1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: sushkovartem@gmail.com, pavlov@unn.ru, kriukov.ruslan@yandex.ru, inquisitor@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

Сформированы и исследованы гетероструктуры АIIIВV/Ge/Si (001), АIIIВV/Ge/SOI (001), АIIIВV/GaAs (001). В АIIIВV/Ge/Si буферный слой Ge был выращен на подложке Si (001) методом газофазного осаждения с разложением моногермана на "горячей проволоке". В АIIIВV/Ge/SOI буферный слой Ge был выращен на подложке SOI (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием режима двухстадийного роста. Рост слоев АIIIВV осуществлялся методом химического осаждения металлоорганических соединений из газовой фазы. Показано, что платформа Ge/SOI, созданная с применением режима двухстадийоного роста, позволяет наращивать слои АIIIВV, не уступающие по кристаллическому и оптическому качеству таким же слоям, сформированным на платформе Ge/Si. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, метод "горячей проволоки", кремний-на-изоляторе, полупроводники АIIIВV, просвечивающая электронная микроскопия.
  1. Yu.A. Vlasov, S.J. McNab. Opt. Express, 12|,(8), 1622 (2004)
  2. В. Юдинцев. Электроника: наука, технология, бизнес, 5 (79), 72 (2007)
  3. J.S. Park, M. Tang, S. Chen, H. Liu. Crystals, 10 (12), 1163 (2020). work lidt ready akk
  4. Yu.B. Bolkhovityanov, O.P. Pchelyakov. Physics--Uspekhi, 51 (5), 437 (2008)
  5. N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik. Crystals, 8 (8), 311 (2018)
  6. J.W. Lee, H. Shichijo, H.L. Tsai, R.J. Matyi. Appl. Phys. Lett., 50 (1), 31 (1987)
  7. N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikpo I v, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik. Semiconductors, 51 (11), 1527 (2017)
  8. D.V. Yurasov, A.I. Bobrov, V.M. Daniltsev, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin. Semiconductors, 49 (11), 1415 (2015)
  9. V.G. Shengurov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, Yu.N. Buzynin, M.N. Drozdov, A.N. Buzynin, P.A. Yunin. Techn. Phys. Lett., 41 (1), 36 (2015)
  10. P.V. Volkov, А.V. Goryunov, D.N. Lobanov, А.Yu. Lukyanov, А.V. Novikov, А.D. Tertyshnik, М.V. Shaleev, D.V. Yurasov. J. Cryst. Growth, 448, 89 (2016)
  11. A.A. Sushkov, D.A. Pavlov, S.A. Denisov, V.Yu. Chalkov, R.N. Kryukov, E.A. Pitirimova. Semiconductors, 54 (10), 1332 (2020)
  12. А.В. Рыков, Р.Н. Крюков, И.В. Самарцев, П.А. Юнин, В.Г. Шенгуров, А.В. Зайцев, Н.В. Байдусь. Письма ЖТФ, 47 (8), 37 (2021)
  13. N. Hayafuji, H. Kizuki, M. Miyashita, K. Kadoiwa, T. Nishimura, N. Ogasawara, H. Kumabe, T.M. Tada. Jpn. J. Appl. Phys., 30, 459 (1991)
  14. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (СПб., Лань, 2010)
  15. B. Wang, G.J. Syaranamual, K.H. Lee, S. Bao, Y. Wang, K.E. Kian Lee, E.A. Fitzgerald, S.J. Pennycook, S. Gradecak, J. Michel. Semicond. Sci. Technol., 35 (9), 095036 (2020)
  16. C. Cornet, S. Charbonnier, I. Lucci, L. Chen, A. Letoublon, A. Alvarez, K. Tavernier, T. Rohel, R. Bernard, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournie, Y. Leger, G. Patriarche, L. Largeau, A. Ponchet, P. Turban, N. Bertru. Phys. Rev. Mater., 4, 053401 (2020)
  17. T.S. Kuan, C.-A. Chang. J. Appl. Phys., 54 (8), 4408 (1983)
  18. J. Fauchera, T. Masuda, M.L. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 34 (4), 041203 (2016)
  19. D.R. Rasmussen, S. McKernan, C.B. Carter. Phys. Rev. Lett., 66 (20), 2629 (1991)
  20. J.J. Wortman, R.A. Evans. J. Appl. Phys., 36 (1), 153 (1965)
  21. D.V. Yurasov, N.A. Baidakova, M.N. Drozdov, E.E. Morozova, M.A. Kalinnikov, A.V. Novikov. Semiconductors, 53 (7), 882 (2019)
  22. R. Alcotte, M. Martin, J. Moeyaert, R. Cipro, S. David, F. Bassani, F. Ducroquet, Y. Bogumilowicz, E. Sanchez, Z. Ye, X.Y. Bao, J.B. Pin, T. Baron. APL Materials, 4 (4), 046101 (2016)
  23. V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109 (6), 061111 (2016)
  24. A.V. Rykov, M.V. Dorokhin, P.S. Vergeles, N.V. Baidus, V.A. Kovalskiy, E.B. Yakimov, O.A. Soltanovich. J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012014 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.