"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анизотропия твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии
Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Разработан новый метод твердофазного синтеза эпитаксиальных слоев, когда подложка сама участвует в химической реакции, а продукт реакции растет не на поверхности подложки, как в традиционных методах эпитаксии, а внутри нее. Такой метод открывает новые возможности для релаксации упругой энергии за счет механизма, действующего только в анизотропных средах, а именно притяжения точечных дефектов, образующихся в процессе химической реакции. Притягивающиеся точечные центры дилатации образуют относительно устойчивые образования --- дилатационные диполи, которые существенно уменьшают общую упругую энергию. Показано, что в кристаллах с кубической симметрией наиболее выгодным расположением диполей является направление <111>. Теория апробирована на примере роста пленок карбида кремния SiC на подложках кремния Si (111) за счет химической реакции с монооксидом углерода CO. Выращены высококачественные монокристаллические пленки SiC-4H толщиной до 100 нм на Si (111). Эллипсометрический анализ показал, что оптические константы пленок SiC-4H являются существенно анизотропными. Это вызвано не только гексагональностью решетки, но и небольшим количеством атомов углерода, ~ (2-6)%, оставшихся в пленке из-за дилатационных диполей. Показано, что оптические константы углеродной примеси соответствуют сильно анизотропному пиролитическому углероду HOPG.
  1. S.J. Pearton. Wide Bandgap Semiconductors: Growth, Processing and Applications (William Andrew Publ./Noges, N. Y., 2000)
  2. Jianwei Wan. Heteroepitaxy of Wide Band Gap Semiconductors on Silicon Substrates (VDM Verlag, 2009)
  3. L. Liu, J.H. Edgar. Mater. Sci. Engin., R37, 61 (2002)
  4. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1083 (1998)
  5. R. Siems. Phys. Status Solidi, 30, 645 (1968)
  6. J.D. Eshelby. Acta Met., 3, 487 (1955)
  7. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113, 024 909 (2013)
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН, 444, 246 (2012)
  9. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Изв. РАН. МТТ, N 2, 122 (2013)
  10. И.М. Лифшиц, Л.Н. Розенцвейг. ЖЭТФ, 17, 783 (1947)
  11. J.W. Christian. The Theory of Transformations in Metals and Alloys (Pergamon, Amsterdam, 2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.