"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Николая Алексеевича Пенина
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

21 марта 2013 г. на 101-м году жизни скончался Николай Алексеевич Пенин --- доктор физико-математических наук, профессор, заслуженный деятель науки РСФСР, видный специалист в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Им получены результаты первостепенного научного и практического значения. Многие его работы легли в основу промышленного развития полупроводниковой электроники в СССР. После окончания в 1939 г. Физического факультета Московского Государственного университета им. М. В. Ломоносова (МГУ) работал научным сотрудником в Научно-исследовательском кинофотоинституте, где участвовал в разработке селеновых выпрямителей для кино- и оборонной техники. Им разработана методика очистки и легирования селена, а также более совершенная технология изготовления селеновых выпрямителей. В конце 1945 г. Николай Алексеевич перешел в Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт (ЦНИРТИ), тогда ЦНИИ-108 Министерства обороны. Здесь первым в нашей стране получил очищенный, а затем монокристаллический и легированный мелкой примесью (сурьма) германий (1948 г.). В итоге были созданы и испытаны на радиолокационных станциях германиевые смесительные СВЧ детекторы с устойчивыми характеристиками. В 1951 г. за эти работы Н. А. Пенину (совместно с С. Г. Калашниковым, В. Г. Алексеевой и Г. С. Кубецким) присуждена Сталинская премия. Н. А. Пенин принимал активное участие в создании первых советских вплавных диодов и транзисторов (1952-1955 гг.). Разработанная в ЦНИИ-108 технология позволила получить транзисторы с наилучшими высокочастотными характеристиками. В 1956 г. Н. А. Пенин в составе лаборатории С. Г. Калашникова был переведен в Институт радиотехники и электроники АН СССР, где выполнил ряд исследований диодов с p-n-переходами. На основе исследований емкостных характеристик вплавных диодов были созданы первые параметрические диоды. С 1959 г. и до конца жизни Н. А. Пенин работал в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН (старший научный сотрудник, зав. сектором, научный советник). Здесь он разработал и собрал своими руками сложную установку для исследования электронного парамагнитного резонанса в полупроводниках. Этим методом установил, в частности, наличие обменного взаимодействия между атомами фосфора при высоких концентрациях этой примеси. [!t] Для лазерной локации на длине волны 10.6 мкм он разработал и создал гетеродинный примесный фотоприемник на основе германия, легированного цинком и сурьмой, с чувствительностью, близкой к квантовому пределу. В результате исследования эффекта разогрева дырок слабым электрическим полем в германии p-типа проводимости был создан модулятор излучения диапазона 10 мкм с предельной частотой модуляции более 10 ГГц. Теоретически рассмотрел эффект отрицательной емкости в однородной полупроводниковой структуре (работа вызвала широкий интерес), емкостные и фотоемкостные свойства МДП конденсатора при низких температурах. Н. А. Пенин опубликовал более 100 научных статей и (в соавторстве с С. Н. Ивановым, Н. Е. Скворцовой и Ю. Ф. Соколовым) монографию "Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов" (1965 г.), переведенную на английский язык и изданную в Англии в 1969 г. Николай Алексеевич был прекрасным педагогом. Под его научным руководством защищены 12 кандидатских диссертаций, среди его учеников 5 докторов наук. Н. А. Пенин --- один из основателей кафедры физики полупроводников физического факультета МГУ. Он подготовил и прочитал первый курс по физике полупроводниковых приборов, автор курсов по физике полупроводников, читавшихся им в МГУ и Московском энергетическом институте. Н. А. Пенин был членом ряда специализированных научных советов; более 10 лет являлся членом секции по радиоэлектронике в Комитете по Ленинским и Государственным премиям СССР, а также членом экспертной группы по экспериментальной физике в Высшей аттестационной комиссии. Н. А. Пенин был награжден орденами "Трудового Красного Знамени", "Знак почета", "Почета" и рядом медалей. Светлый образ Николая Алексеевича Пенина, замечательного ученого и человека, навсегда останется в нашей памяти. Коллеги, друзья, ученики и редакционная коллегия журнала Физика и техника полупроводников"
  1. S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Whittaker, G.A. Mourou, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59, 3276 (1991)
  2. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  3. В.В. Чалдышев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков, А.В. Хан, В.Г. Канаев, Л.С. Широкова, А.В. Голиков, В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Н.В. Карпович. Электронная промышленность, вып. 1-2, 154 (1998)
  4. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  5. Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. В кн: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике, под ред. А.Л. Асеева (Изд-во СОРАН, Новосибирск, 2004)
  6. E.S. Harmon, M.R. Melloch, J.M. Woodall, D.D. Nolte, N. Otsuka, C.L. Chang. Appl. Phys. Lett., 63, 2248 (1993)
  7. M. Stellmacher, J. Nagle, J.F. Lampin, P. Santoro, J. Vaneecloo, A. Alexandrou. J. Appl. Phys., 88 (10), 6026 (2000)
  8. P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Sfendourakis, G. Kostantinidis, C. Fotakis. J. Appl. Phys., 91, 9863 (2002)
  9. M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 74, 1269 (1999)
  10. A.J. Lochtefeld, M.R. Melloch, J.C.P. Chang, E.S. Harmon. Appl. Phys. Lett., 69, 1465 (1996)
  11. U. Siegner, R. Fluck, G. Zhang, U. Keller. Appl. Phys. Lett., 69, 2566 (1996)
  12. А.А. Пастор, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев. ФТП, 46 (5), 637 (2012)
  13. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukievich. Appl. Phys. Lett., 67 (2), 279 (1995)
  14. G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
  15. П.В. Лукин, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 46, 1314 (2012)
  16. H. Ruda, A. Shik. Phys. Rev. B, 63, 085 203 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.