Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (230^oC). Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600^oC. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанной на методике накачки-зондирования (pump-probe), было определено время жизни неравновесных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным (275±30) фс. Причиной весьма малого времени жизни в неотожженном материале является большая концентрация точечных дефектов, преимущественно антиструктурных дефектов As_Ga. Исследования рентгеновской дифракции и стационарного оптического поглощения показали, что в данных образцах концентрация As_Ga составляет 3·10¹⁹ см^-3, что соответствует избытку мышьяка 0.26 ат%. В процессе отжига при 600^oC сверхстехиометрические дефекты As самоорганизуются и формируют нановключения As в кристаллической матрице GaAs. Показано, что при этом время жизни неравновесных носителей заряда увеличивается до (452±5) фс. Такое время жизни, по-видимому, преимущественно обеспечивается захватом неравновесных носителей заряда на металлические нановключения As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.