"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре
Пастор А.А.1, Прохорова У.В.1, Сердобинцев П.Ю.1,2, Чалдышев В.В.3, Яговкина М.А.3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (230oC). Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600oC. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанной на методике накачки-зондирования (pump-probe), было определено время жизни неравновесных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным (275±30) фс. Причиной весьма малого времени жизни в неотожженном материале является большая концентрация точечных дефектов, преимущественно антиструктурных дефектов AsGa. Исследования рентгеновской дифракции и стационарного оптического поглощения показали, что в данных образцах концентрация AsGa составляет 3·1019 см-3, что соответствует избытку мышьяка 0.26 ат%. В процессе отжига при 600oC сверхстехиометрические дефекты As самоорганизуются и формируют нановключения As в кристаллической матрице GaAs. Показано, что при этом время жизни неравновесных носителей заряда увеличивается до (452±5) фс. Такое время жизни, по-видимому, преимущественно обеспечивается захватом неравновесных носителей заряда на металлические нановключения As.
  1. S. Gupta, M.Y. Frankel, J.A. Valdmanis, J.F. Whittaker, G.A. Mourou, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 59, 3276 (1991)
  2. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  3. В.В. Чалдышев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков, А.В. Хан, В.Г. Канаев, Л.С. Широкова, А.В. Голиков, В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Н.В. Карпович. Электронная промышленность, вып. 1-2, 154 (1998)
  4. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  5. Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. В кн: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике, под ред. А.Л. Асеева (Изд-во СОРАН, Новосибирск, 2004)
  6. E.S. Harmon, M.R. Melloch, J.M. Woodall, D.D. Nolte, N. Otsuka, C.L. Chang. Appl. Phys. Lett., 63, 2248 (1993)
  7. M. Stellmacher, J. Nagle, J.F. Lampin, P. Santoro, J. Vaneecloo, A. Alexandrou. J. Appl. Phys., 88 (10), 6026 (2000)
  8. P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Sfendourakis, G. Kostantinidis, C. Fotakis. J. Appl. Phys., 91, 9863 (2002)
  9. M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 74, 1269 (1999)
  10. A.J. Lochtefeld, M.R. Melloch, J.C.P. Chang, E.S. Harmon. Appl. Phys. Lett., 69, 1465 (1996)
  11. U. Siegner, R. Fluck, G. Zhang, U. Keller. Appl. Phys. Lett., 69, 2566 (1996)
  12. А.А. Пастор, П.Ю. Сердобинцев, В.В. Чалдышев. ФТП, 46 (5), 637 (2012)
  13. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukievich. Appl. Phys. Lett., 67 (2), 279 (1995)
  14. G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
  15. П.В. Лукин, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 46, 1314 (2012)
  16. H. Ruda, A. Shik. Phys. Rev. B, 63, 085 203 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.