"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О токовой зависимости эффективности инжекции и относительном вкладе скорости эмиссии и внутренних оптических потерь в насыщение ватт-амперной характеристики мощных импульсных лазеров (λ=1.06 мкм)
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080217
Рожков А.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rozh@hv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 5 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 23 марта 2020 г.
Принята к печати: 23 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

Приведены результаты численного моделирования токовой зависимости эффективности инжекции в активную область лазера на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения. Показана особенность переноса носителей заряда через изотипные N-n-гетеропереходы на границе волноводных и активной областей. С использованием классических зависимостей теории Друде-Лоренца проведена оценка сечений рассеяния электронов (sigmae) и дырок (sigmap) для GaAs-волновода. Полученные значения sigmae=1.05·10-18 см2, sigmap=1.55·10-19 см2 и токовые зависимости эффективности инжекции позволили определить ключевую причину ограничения импульсной мощности полупроводниковых лазеров. Установлено, что внутренние оптические потери составляют незначительную долю потерь, а определяющий вклад в насыщение ватт-амперной характеристики дает эмиссия дырок в волновод. Ключевые слова: термоэлектронная эмиссия, полупроводниковый лазер, изотипный гетеропереход, насыщение ватт-амперной характеристики.
  1. З.Н. Соколова, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 51, 998 (2017)
  2. H. Wenzel, P. Crump, A. Pietrzak, C. Roder, X. Wang, G. Erbert. Optical Quant. Electron., 41, 645 (2009)
  3. X. Wang, P. Crump, H. Wenzel, A. Liero, T. Hoffmann, A. Pietrzak, C.M. Schultz, A. Klehr, A. Ginolas, S. Einfeldt, F. Bugge, G. Erbert, G. Trankle. IEEE J. Quant. Electron., 46, 658 (2010)
  4. E.A. Avrytin, B.S. Ryvkin. Semicond. Sci. Technol., 32, 1 (2017)
  5. L.W. Hallman, B.S. Ryvkin, E.A. Avrytin, A.T. Aho, J. Viheriala, M. Guina, J.T. Kostamovaara. IEEE Photon. Tecnol. Lett., 31, 1635 (2019)
  6. J. Piprek, Z.-M. Li. IEEE Photon. Technol. Lett., 30, 963 (2018)
  7. J. Piprek. Optical Quant. Electron., 51, 60 (2019)
  8. N. Tansu, L.J. Mawst. J. Appl. Phys., 97, 054502 (2005)
  9. I.S. Shashkin, D.A. Vinokurov, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, N.A. Rudova, Z.N. Sokolova, S.O. Slipchenko, A.L. Stankevich, V.V. Shamakhov, D.A. Veselov, K.V. Bakhvalov, I.S. Tarasov. Phys. Semicicond. Dev., 46, 1211 (2012)
  10. S.O. Slipchenko, I.S. Shashkin, L.S. Vavilova, D.A. Vinokurov, A.V. Lyutetskiy, N.A. Pikhtin, A.A. Podoskin, A.L. Stankevich, N.V. Fitisova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 661 (2010)
  11. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shemyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, Kr. Yyind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100, 021107 (2012)
  12. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 272
  13. В.Б. Тимофеев. Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур (СПб., "Лань", 2015) гл. 16, с. 136
  14. Д.И. Беленко. Комплексная диэлектрическая проницаемость. Плазменный резонанс свободных носителей заряда в полупроводниках (Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 1999) с. 8
  15. H.Y. Fan. Semiconductors and Semimetals, 3, 405 (1967)
  16. Ж.И. Алферов, В.И. Корольков, И.М. Коничева, В.С. Юферев, А.А. Яковенко. ФТП, 13, 271 (1979)
  17. Д.А. Веселов, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 44 (11), 993 (2014)
  18. Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 45 (7), 604 (2015)
  19. Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, K. Yvind, Е.С. Семенова, Л.В. Асрян. Письма ЖТФ, 41 (9), 61 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.