Вышедшие номера
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040168
Середин П.В.1,2, Голощапов Д.Л.1, Золотухин Д.С.1, Леньшин А.С.1, Мизеров А.М.3, Тимошнев С.Н.3, Никитина Е.В.3, Арсентьев И.Н.4, Кукушкин С.А.5
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 28 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 6 декабря 2019 г.
Принята к печати: 6 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Комплексом структурно-спектроскопических методов диагностики исследовано влияние переходного слоя нанопористого кремния на оптические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) на темплейтах SiC/por-Si/c-Si. Впервые показано, что использование технологии МПЭ ПА для синтеза GaN на виртуальной подложке SiC/por-Si/c-Si позволило нам получить пленку GaN со значительно более высоким структурным качеством и оптическим совершенством и при значительно более низкой температуре роста, чем в аналогичных работах, в которых демонстрировался рост с использованием пористых подложек Si. Использование нанопористого por-Si слоя позволяет улучшить структурные и морфологические свойства эпитаксиального слоя GaN, а также добиться у него уникальных оптических и электрофизических характеристик. Полученные данные послужат важным материалом для понимания основ физики наногетероструктур GaN/SiC/por-Si, способствуя их потенциальному применению в оптоэлектронике. Ключевые слова: гибридные гетероструктуры, карбид кремния, нитрид галлия, нанопористый кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота.