Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48617.9214

Переводная версия: 10.1134/S1063782619160139

Кривобок В.С.¹, Литвинов Д.А.¹, Николаев С.Н.¹, Онищенко Е.Е.¹, Пашкеев Д.А.^1,2, Чернопицский М.А.¹, Григорьева Л.Н.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²АО "НПО Орион", Москва, Россия RD and P Center “Orion”, Moscow, Russia

Email: Ln.grigorjeva@physics.msu.ru

Поступила в редакцию: 11 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

С помощью молекулярно-пучковой эпитаксии получена серия нелегированных GaAs/Al_xGa_1-xAs-гетероструктур с множественными квантовыми ямами, легированные аналоги которых используются при создании фотоприемников на спектральный диапазон 8-12 мкм. Для выращенных гетероструктур установлено спектральное положение линий поглощения, соответствующих разрешенным переходам между электронными и дырочными уровнями размерного квантования в GaAs-слоях. Исследовано влияние примесно-дефектных состояний на спектры люминесценции и поглощения квантовых ям. Определены величины экситонных поправок для разрешенных переходов в зависимости от ширины квантовой ямы и содержания алюминия в барьерных слоях. Обсуждается роль экситонных эффектов при восстановлении структуры одноэлектронных состояний по спектрам межзонного поглощения (возбуждения люминесценции), а также связь этих состояний с рабочим диапазоном ИК-фотоприемников на основе GaAs/Al_xGa_1-xAs-квантовых ям. Ключевые слова: квантовая яма, люминесценция, экситон, ИК-детектор.

A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko. Appl. Phys. Rev., 4, 031304 (2017)
S.D. Gunapala, D.R. Rhiger, C. Jagadish. Advances in infrared photodetectors in semiconductors and semimetals (N.Y., Academic Press, 2011)
H. Schneider, H.C. Liu. Quantum well infrared photodetectors (Berlin, Springer, 2007)
H.X. Wang, Z.L. Fu, D.X. Shao, Z.Z. Zhang, C. Wang, Z.Y. Tan, X.G. Guo, J.C. Cao. Appl. Phys. Lett., 113, 171107 (2018)
S.V. Bandara, S.D. Gunapala, J.K. Liu, E.M. Luong, J.M. Mumolo, W. Hong, D.K. Sengupta, M.J. McKelvey. Appl. Phys. Lett., 72, 2427 (1998)
M. Helm. Semicond. Semimet., 62, 1 (1999)
B.F. Levine. J. Appl. Phys., 74, R1 (1993)
K.K. Choi, D.P. Forrai, D.W. Endre, J. Sun. IEEE J. Quant. Electron., 45, 1255 (2009)
A. Nedelcu, Y. Creten, V. Gueriaux, A. Berurier, V. Bria, N.B. l'Isle, C.V. Hoof. Proc. SPIE, 7826, 78261K (2010)
P.B. Vigneron, S. Pirotta, I. Carusotto, N.L. Tran, G. Biasiol, J.M. Manceau, A. Bousseksou, R. Colombelli. Appl. Phys. Lett., 114, 131104 (2019)
K.K. Choi, M.D. Jhabvala, J. Sun, C.A. Jhabvala, A. Waczynski, K. Olve. Appl. Phys. Lett., 103, 201113 (2013)
W. Wu, A. Bonakdar, H. Mohseni. Appl. Phys. Lett., 96, 161107 (2010)
Z.H. Chen, S. Hellstrom, Z.Y. Yu, M. Qiu, Y. Fu. Appl. Phys. Lett., 100, 043502 (2012)
L.B. Luo, L.H. Zeng, C. Xie, Y.Q. Yu, F.X. Liang, C.Y. Wu, L. Wang, L.G. Hu. Scientific Rep., 4, 3914 (2014)
Y. Liu, R. Cheng, L. Liao, H. Zhou, J. Bai, G. Liu, L. Liu, Y. Huang, X. Duan. Nature Commun., 2, 579 (2011)
Д.В. Казанцев, Е.А. Казанцева. Письма ЖЭТФ, 107, 532 (2018)
Д.В. Казанцев, Е.В. Кузнецов, С.В. Тимофеев, А.В. Шелаев, Е.А. Казанцева. УФН, 187, 277 (2017)
C.F. Klingshirn. Semiconductor optics (Springer Science \& Business Media, 2012)
J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
V.S. Krivobok, S.N. Nikolaev, V.S. Bagaev, A.A. Pruchkina, E.E. Onishchenko, S.A. Kolosov, Yu.V. Klevkov, M.L. Skorikov. J. Appl. Phys., 119, 055704 (2016)
В.С. Кривобок, С.Н. Николаев, С.И. Ченцов, Е.Е. Онищенко, В.С. Багаев, В.И. Козловский, С.В. Сорокин, И.В. Седова, С.В. Гронин, С.В. Иванов. Письма ЖЭТФ, 104, 108 (2016)
N.R. Jungwirth, H.S. Chang, M. Jiang, G.D. Fuchs. ACS Nano, 10, 1210 (2016)
V.S. Krivobok, S.N. Nikolaev, S.I. Chentsov, E.E. Onishchenko, A.A. Pruchkina, V.S. Bagaev, A.A. Silina, N.A. Smirnova. J. Luminesc., 200, 240 (2018)
H. Mathieu, P. Lefebvre, P. Christol. Phys. Rev. B, 46, 4092 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель