Исследованы температурные зависимости вольт-фарадных характеристик и спектры глубоких уровней гетероструктуры Au-n-Si : Au-Si-p-Si на основе композитного слоя наночастиц Au и Si. При температуре 300 K структура проявляет свойства транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером при отключенной базе и с эмиттерным барьером Шоттки между точечным контактом Au и слоем n-(Si : Au). В этом слое наночастицы образуют конечные кластеры, где проводимость будет прыжковой, при этом в области точечного контакта Au наблюдается аккумуляция заряда. При температуре измерения ниже 180 K в результате эффекта перколяции система из фазы конечного кластера переходит в фазу бесконечного кластера, проявляющего металлические свойства в латеральной плоскости гетероструктуры, которая превращается в p-n-диод. Ключевые слова: C-V-характеристика, DLTS, композитные наночастицы, золото, кремний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.