"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
Переводная версия: 10.1134/S1063782619080220
Russian Science Foundation , 18-12-00287
Жуков А.Е. 1,2, Моисеев Э.И.1, Крыжановская Н.В.1,2, Блохин С.А. 3, Кулагина М.М.3, Гусева Ю.А.3, Минтаиров С.А.3,1, Калюжный Н.А.3,1, Можаров А.М.1, Зубов Ф.И.1, Максимов М.В.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhukale@gmail.com, Blokh@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.

Исследованы микродисковые лазеры диаметром 10-30 мкм, работающие при комнатной температуре без термостабилизации, с активной областью на основе наноструктур гибридной размерности --- квантовых ям-точек. Выполнены высокочастотные измерения отклика микролазеров в режиме прямой малосигнальной модуляции, с помощью которых установлены параметры быстродействия и проведен их анализ в зависимости от диаметра микролазера. Обнаружено, что K-фактор составляет (0.8±0.2) нс, что соответствует оптическим потерям ~ 6 см-1, и при этом не наблюдается регулярная зависимость от диаметра. Обнаружено, что низкочастотная компонента коэффициента затухания релаксационных колебаний обратно пропорциональна диаметру. Такой характер зависимости свидетельствует об уменьшении времени жизни носителей заряда в микрорезонаторах малого диаметра, что может быть связано с преобладанием в них безызлучательной рекомбинации на боковых стенках. Ключевые слова: микрорезонатор, микролазер, поверхностная рекомбинация, высокочастотная модуляция.
  1. M.-H. Mao, H.-C. Chien, J.-Z. Hong, C.-Y. Cheng. Opt. Express, 19, 14145 (2011)
  2. N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.V. Kudashova, F.I. Zubov, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, D.A. Livshits, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51, 1354 (2015)
  3. A.F.J. Levi, R.E. Slusher, S.L. Mc Call, T. Tanbun-Ek, D.L. Coblentz, S.J. Pearton. Electron. Lett., 28, 1011 (1992)
  4. A.K. Sokol, R.P. Sarzala. Optica Applicata, 43, 325 (2013)
  5. A. Fiore, M. Rossetti, B. Alloing, C. Paranthoen, J.X. Chen, L. Geelhaar, H. Riechert. Phys. Rev. B, 70, 205311 (2004)
  6. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26, 385202 (2015)
  7. E. Moiseev, N. Kryzhanovskaya, M. Maximov, F. Zubov, A. Nadtochiy, M. Kulagina, Yu. Zadiranov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, A. Zhukov. Optics. Lett., 43, 4554 (2018)
  8. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov. Int. Conf. "Frontiers of 21st Century Physics and Ioffe Institute" (St. Petersburg, Russia, 2018) p. 33
  9. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Masanovic. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, 2nd edn (N. Y., Wiley, 2012)
  10. R. Nagarajan, T. Fukushima, M. Ishikawa, J.E. Bowers, R.S. Geels, L.A. Coldren. IEEE Photon. Technol. Lett., 4, 121 (1992)
  11. R.E. Slusher, A.F.J. Levi, U. Mohideen, S.L. Mc Call, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 63, 1310 (1993)
  12. M. Borselli, T.J. Johnson, O. Painter. Opt. Express, 13, 1515 (2005)
  13. E. Kapon. Semiconductor Lasers I: Fundamentals (San Diego, Academic Press, 1999)
  14. R. Nagarajan, M. Ishikawa, T. Fukushima, R.S. Geels, J.E. Bowers. IEEE J. Quant. Electron., 28, 1990 (1992)
  15. H. Su, L.F. Lester. J. Phys. D: Appl. Phys., 38, 2112 (2005)
  16. Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, С.А. Блохин, М.А. Бобров, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, Ю.М. Задиранов, А.А. Липовский, Э.И. Моисеев, Ю.В. Кудашова, Д.А. Лившиц, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 50, 393 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.