Вышедшие номера
Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
Переводная версия: 10.1134/S1063782619070054
Соломникова А.В.1, Бессолов В.Н.2, Коненкова Е.В.2, Орлова Т.А.2, Родин С.Н.2, Середова Н.В.2, Щеглов М.П.2, Кибалов Д.С.3, Смирнов В.К.3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Email: bes.triat@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Представлены результаты исследований полуполярных слоев GaN, синтезированных на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что применение нанорельефа Si(100) в сочетании с нанополосками SixNy на вершинах наноструктур при газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений может приводить к формированию слоев GaN(1012), а дополнительное использование буферного слоя SiC позволяет получить слои GaN(1011) c полушириной кривой дифракции omegatheta~35'. Обнаружено, что люминесцентные свойства полуполярных слоев обусловлены преимущественно дефектами упаковки BSFS-I1 (basal plane stacking faults), в отличие полярных слоев, где в основном они обусловлены рекомбинацией экситонов. Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, фотолюминесценция, газофазная эпитаксия.
  1. J.W. Chung, K. Ryu, B. Lu, T. Palacios. Eur. Solid-State Dev. Res. Conf. ESSDERC, 52 (2010)
  2. В.Н. Бессолов, Е.В. Гущина, Е.В. Коненкова, С.Д. Коненков, Т.В. Львова, В.Н. Пантелеев, М.П. Щеглов. ЖТФ, 89, 574 (2019)
  3. D.V. Dinh, S. Presa, M. Akhter, P.P. Maaskant, B. Corbett, P.J. Parbrook. Semicond. Sci. Technol., 30, 125007 (2015)
  4. V. Bessolov, A. Kalmykov, E. Konenkova, S. Kukushkin, A. Myasoedov, N. Poletaev, S. Rodin. J. Cryst. Growth, 457, 202 (2017)
  5. T. Tanikawa, T. Hikisaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, Phys. Status Solidi C, 5, 2966 (2008)
  6. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, М.П. Щеглов, Д.С. Кибалов, В.К. Смирнов. Письма ЖТФ, 44, 45 (2018)
  7. J. Lahnemann, U. Jahn, O. Brandt, T. Flissikowski, P. Dogan, H.T. Grahn. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 423001 (2014)
  8. D.V. Dihn, P.J. Parbrook. J. Cryst. Growth, 501, 34 (2018)
  9. V.K. Smirnov, D.S. Kibalov, O.M. Orlov, V.V. Graboshnikov. Nanotechnology, 14, 709 (2003)
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. IOP Conf. Series: Mater. Sci. Engin., 387, 012044 (2018)
  11. Y. Naoi, T. Tada, H. Li, N. Jiang, Sh. Sakai. Phys. Status Solidi C, 0, 2077 (2003)
  12. V. Bessolov, A. Zubkova, E. Konenkova, S. Konenkov, S. Kukushkin, T. Orlova, S. Rodin, V. Rubets, D. Kibalov, V. Smirnov. Phys. Status Solidi, (2019)
  13. P. Vennegu`es, J.M. Chauveau, Z. Bougrioua, T. Zhu, D. Martin, N. Grandjean. J. Appl. Phys., 112, 113518 (2012)
  14. W. Rieger, R. Dimitrov, D. Brunner, E. Rohrer, O. Ambacher, M. Stutzmann. Phys. Rev. B, 54, 17596 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.