Представлены результаты исследований полуполярных слоев GaN, синтезированных на наноструктурированной подложке Si(100). Показано, что применение нанорельефа Si(100) в сочетании с нанополосками Si_xN_y на вершинах наноструктур при газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений может приводить к формированию слоев GaN(1012), а дополнительное использование буферного слоя SiC позволяет получить слои GaN(1011) c полушириной кривой дифракции omega_theta~35'. Обнаружено, что люминесцентные свойства полуполярных слоев обусловлены преимущественно дефектами упаковки BSF_S-I₁ (basal plane stacking faults), в отличие полярных слоев, где в основном они обусловлены рекомбинацией экситонов. Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, фотолюминесценция, газофазная эпитаксия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.