Сообщается об обнаружении значительного усиления фототока/фотопроводимости при малых обратных смещениях в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой InAs, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При воздействии на гетероструктуру монохроматическим излучением с длиной волны 1.2-1.6 мкм (при 77 K) и приложении обратного смещения в диапазоне 5-200 мВ наблюдалось резкое возрастание фототока на 2 порядка. Оптическое усиление зависело от приложенного напряжения и возрастало до значения 2.5·10² при обратном смещении 800 мВ. Теоретически установлено, что основную роль в наблюдаемом явлении играет экранирование внешнего электрического поля электронами, локализованными в глубокой квантовой яме, а также туннельный механизм переноса носителей заряда с малой эффективной массой. Показано, что исследуемый эффект усиления фототока является общим для изотипных и анизотипных гетеропереходов II типа, в том числе для структур с квантовыми ямами и сверхрешетками.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.