Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой

DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46217.8842

Переводная версия: 10.1134/S1063782618080146

Михайлова М.П.¹, Андреев И.А.¹, Коновалов Г.Г.¹, Данилов Л.В.¹, Иванов Э.В.¹, Куницына Е.В.¹, Ильинская Н.Д.¹, Левин Р.В.¹, Пушный Б.В.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Mikh@iropt1.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 8 февраля 2018 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается об обнаружении значительного усиления фототока/фотопроводимости при малых обратных смещениях в гетероструктуре II типа n-GaSb/InAs/p-GaSb с одиночной квантовой ямой InAs, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При воздействии на гетероструктуру монохроматическим излучением с длиной волны 1.2-1.6 мкм (при 77 K) и приложении обратного смещения в диапазоне 5-200 мВ наблюдалось резкое возрастание фототока на 2 порядка. Оптическое усиление зависело от приложенного напряжения и возрастало до значения 2.5·10² при обратном смещении 800 мВ. Теоретически установлено, что основную роль в наблюдаемом явлении играет экранирование внешнего электрического поля электронами, локализованными в глубокой квантовой яме, а также туннельный механизм переноса носителей заряда с малой эффективной массой. Показано, что исследуемый эффект усиления фототока является общим для изотипных и анизотипных гетеропереходов II типа, в том числе для структур с квантовыми ямами и сверхрешетками.

Y. Wei, A. Hood, H.Yau, A. Gin, M. Razeghi, M.Z. Tidrow, V. Nathan. Appl. Phys. Lett., 86 (23), 233106 (2005)
M. Mikhailova, N. Stoyanov, I. Andreev, B. Zhurtanov, S. Kizhaev, E. Kunitsyna, K. Salikhov, Yu. Yakovlev. Proc. SPIE, 6585 ( Optical Sensing Technology and Applications), 658526 (2007)
M. Razeghi, D. Hoffman, B.-M. Nguyen, P.-Y. Delaunay, E.K. Huang, M.Z. Tidrow. Proc. SPIE, 6940 ( Infrared Technology and Applications XXXIV), 694009 (2008)
P.K.D.D.P. Pitigala, Y.F. Lao, A.G.U. Perera, L.H. Li, E.H. Linfield, H.C. Liu. J. Appl. Phys., 115 (6), 063105 (2014)
M. Ahmetoglu, B. Kucur, I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Acta Phys. Polon. A, 127 (4), 1007 (2015)
Е.В. Куницына, Е.А. Гребенщикова, Г.Г. Коновалов, И.А. Андреев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 50 (10), 1420 (2016)
Ф. Капассо. В сб.: Техника оптической связи: Фотоприемники, под ред. У. Тсанга (М., Мир, 1988) гл. 1
Дж. Кэмпбелл. В сб.: Техника оптической связи: Фотоприемники, под ред. У. Тсанга (М., Мир, 1988) гл. 5
M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9 (7), 1279 (1994)
B.A. Wilson. IEEE J. Quant. Electron., 24 (8), 1763 (1988)
А.Д. Милнс, Д.Л. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975) гл. 4
C. van Opdorp, J. Vrakking. Solid-State Electron., 10, 995 (1967)
S. Yawata, R.L. Anderson. Phys. Status Solidi, 12, 297 (1965)
И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.А. Мирсагатов, М.П. Михайлова, А.А. Рогачев, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14 (5), 389 (1988)
Р.В. Левин, В.Н. Неведомский, Б.В. Пушный, Н.А. Берт, М.Н. Мизеров. Письма ЖТФ, 42 (2), 79 (2016)
L.V. Danilov, M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, G.G. Konovalov, E.A. Grebenschikova, R.V. Levin, B.V. Pushnyi, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev. Proc. 24th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2016) p. 219
Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (Singapore-N. Y.- London-Hong Kong, World Scientific Publishing, 1996) v. 1, ch. 6
F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho, R. Hull, A.L. Hutchinson. Phys. Rev. Lett., 55 (10), 1152 (1985)
C. Sirtori, J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett., 63 (19), 2670 (1993)
Л.В. Данилов, М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Г.Г. Зегря. ФТП, 51 (9), 1196 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель