Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080195 
Середин П.В.1, Голощапов Д.Л.1, Золотухин Д.С.1, Леньшин А.С.1, Лукин А.Н.1, Худяков Ю.Ю.1, Арсентьев И.Н.2, Жаботинский А.В.2, Николаев Д.Н.2, Пихтин Н.А.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
Впервые удалось показать, что управление структурными и оптическими функциональными характеристиками интегрированных гетроструктур GaAs/Si(100) может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек Si(100) и их предварительного травления. Рост эпитаксиального слоя GaAs на подложках кремния без образования антифазных доменов может быть выполнен на подложке, отклоненной от сингулярной плоскости (100) менее чем на 4-6o или без использования переходного слоя из наностолбиков GaAs. Выполненная предварительная обработка кремниевой подложки в виде травления позволяет получить на ней методом газофазной эпитаксии пленку GaAs в монокристаллическом состоянии со значительно меньшим коэффициентом релаксации, что положительно отражается на ее структурном качестве. Эти данные находятся в хорошем согласовании с результатами ИК-спектроскопии на отражение, фотолюминесцентной и УФ-спектроскопии. Особенности оптических свойств интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100) в инфракрасной и ультрафиолетовой областях спектра также определяются значением коэффициента релаксации.
- I. Prieto, R. Kozak, O. Skibitzki, M.D. Rossell, P. Zaumseil, G. Capellini. Nanotechnology, 28, 135701 (2017)
- Y. Shi, H. Guo, H. Ni, C. Xue, Z. Niu, J. Tang. Materials, 5, 2917 (2012)
- C-P. Chu, S. Arafin, T. Nie, K. Yao, X. Kou, L. He. Cryst. Growth Des., 14, 593 (2014)
- G. Deligeorgis, S. Gallis, M. Androulidaki, D. Cengher, Z. Hatzopoulos, M. Alexe, V. Dragoi, E.D. Kyriakis-Bitzaros, G. Hakias, F. Peiro, A. Georgakis. 12th Int. Conf. on Semiconducting and Insulating Materials (June 30--July 5 2002, Bratislava, Slovak Republic) p. 125
- Y.B. Bolkhovityanov, O.P. Pchelyakov. Phys. Uspekhi, 51, 437 (2008)
- C. Renard, T. Moliere, N. Cherkashin, J. Alvarez, L. Vincent, A. Jaffre. Sci. Rep., 6, 25328 (2016)
- C.S. Wong, N.S. Bennett, B. Galiana, P. Tejedor, M. Benedicto, J.M. Molina-Aldareguia. Semicond. Sci. Technol., 27, 115012 (2012)
- Q. Li, K.W. Ng, K.M. Lau. Appl. Phys. Lett., 106 (7), 072105 (2015)
- I. Prieto, R. Kozak, O. Skibitzki, M.D. Rossell, T. Schroeder, R. Erni. Small, 13, 1603122 (2017)
- Y. Buzynin, V. Shengurov, B. Zvonkov, A. Buzynin, S. Denisov, N. Baidus, M. Drozdov, D. Pavlov, P. Yunin. AIP Advances, 7, 015304 (1017)
- A.S. Brown. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2308 (1998)
- K. Vanhollebeke, I. Moerman, P. Van Daele, P. Demeester. Prog. Cryst. Growth. Charact. Mater., 41, 1 (2000)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij. Semiconductors, 48, 21 (2014)
- P.V. Seredin, V.E. Ternovaya, A.V. Glotov, A.S. Len'shin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov. Phys. Sol. St., 55, 2161 (2013)
- E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, E.A. Dolgopolova, I.E. Zanin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov. Semiconductors, 39, 336 (2005)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44 (8), 1106 (2010)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
- J.O. Akinlami, A.O. Ashamu. J. Semicond., 34, 032002 (2013)
- Paul M. Amirtharaj, David G. Seiler. Optical Properties of Semiconductors. Handb. Opt. Vol. II. Devices Meas. Prop. Second Ed. 2nd ed. McGraw-Hill (1995)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 184 (2010)
- K. Mochizuki, S. Goto, H. Kakibayashi, C. Kusano. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1046 (1990)
- P.R. Hageman, J. te Nijenhuis, M.J. Anders, L.J. Giling. J. Cryst. Growth, 170, 270 (1997)
- S. Orsila, A. Tukiainen, P. Uusimaa, J. Dekker, T. Leinonen, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 227--228, 249 (2001)
- V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.Y. Prints, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, A.O. Govorov. J. Exp. Theor. Phys. Lett., 66, 47 (1997)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev. Mater. Sci Semicond. Process., 39, 551 (2015)
- P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 495, 54 (2016)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev. Semiconductors, 49, 915 (2015)
- Y.I. Ukhanov. Optical properties of semiconductors (M. Nauka, 1977)
- J. Tauc. Optical properties of semiconductors in the visible and ultra-volet ranges. Progress in Semiconductors (Heywood, London, 1965).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
