"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080195
Середин П.В.1, Голощапов Д.Л.1, Золотухин Д.С.1, Леньшин А.С.1, Лукин А.Н.1, Худяков Ю.Ю.1, Арсентьев И.Н.2, Жаботинский А.В.2, Николаев Д.Н.2, Пихтин Н.А.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Впервые удалось показать, что управление структурными и оптическими функциональными характеристиками интегрированных гетроструктур GaAs/Si(100) может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек Si(100) и их предварительного травления. Рост эпитаксиального слоя GaAs на подложках кремния без образования антифазных доменов может быть выполнен на подложке, отклоненной от сингулярной плоскости (100) менее чем на 4-6o или без использования переходного слоя из наностолбиков GaAs. Выполненная предварительная обработка кремниевой подложки в виде травления позволяет получить на ней методом газофазной эпитаксии пленку GaAs в монокристаллическом состоянии со значительно меньшим коэффициентом релаксации, что положительно отражается на ее структурном качестве. Эти данные находятся в хорошем согласовании с результатами ИК-спектроскопии на отражение, фотолюминесцентной и УФ-спектроскопии. Особенности оптических свойств интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100) в инфракрасной и ультрафиолетовой областях спектра также определяются значением коэффициента релаксации.
  1. I. Prieto, R. Kozak, O. Skibitzki, M.D. Rossell, P. Zaumseil, G. Capellini. Nanotechnology, 28, 135701 (2017)
  2. Y. Shi, H. Guo, H. Ni, C. Xue, Z. Niu, J. Tang. Materials, 5, 2917 (2012)
  3. C-P. Chu, S. Arafin, T. Nie, K. Yao, X. Kou, L. He. Cryst. Growth Des., 14, 593 (2014)
  4. G. Deligeorgis, S. Gallis, M. Androulidaki, D. Cengher, Z. Hatzopoulos, M. Alexe, V. Dragoi, E.D. Kyriakis-Bitzaros, G. Hakias, F. Peiro, A. Georgakis. 12th Int. Conf. on Semiconducting and Insulating Materials (June 30--July 5 2002, Bratislava, Slovak Republic) p. 125
  5. Y.B. Bolkhovityanov, O.P. Pchelyakov. Phys. Uspekhi, 51, 437 (2008)
  6. C. Renard, T. Moliere, N. Cherkashin, J. Alvarez, L. Vincent, A. Jaffre. Sci. Rep., 6, 25328 (2016)
  7. C.S. Wong, N.S. Bennett, B. Galiana, P. Tejedor, M. Benedicto, J.M. Molina-Aldareguia. Semicond. Sci. Technol., 27, 115012 (2012)
  8. Q. Li, K.W. Ng, K.M. Lau. Appl. Phys. Lett., 106 (7), 072105 (2015)
  9. I. Prieto, R. Kozak, O. Skibitzki, M.D. Rossell, T. Schroeder, R. Erni. Small, 13, 1603122 (2017)
  10. Y. Buzynin, V. Shengurov, B. Zvonkov, A. Buzynin, S. Denisov, N. Baidus, M. Drozdov, D. Pavlov, P. Yunin. AIP Advances, 7, 015304 (1017)
  11. A.S. Brown. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2308 (1998)
  12. K. Vanhollebeke, I. Moerman, P. Van Daele, P. Demeester. Prog. Cryst. Growth. Charact. Mater., 41, 1 (2000)
  13. P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  14. P.V. Seredin, V.E. Ternovaya, A.V. Glotov, A.S. Len'shin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov. Phys. Sol. St., 55, 2161 (2013)
  15. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, E.A. Dolgopolova, I.E. Zanin, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov. Semiconductors, 39, 336 (2005)
  16. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
  17. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44 (8), 1106 (2010)
  18. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  19. J.O. Akinlami, A.O. Ashamu. J. Semicond., 34, 032002 (2013)
  20. Paul M. Amirtharaj, David G. Seiler. Optical Properties of Semiconductors. Handb. Opt. Vol. II. Devices Meas. Prop. Second Ed. 2nd ed. McGraw-Hill (1995)
  21. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Semiconductors, 44, 184 (2010)
  22. K. Mochizuki, S. Goto, H. Kakibayashi, C. Kusano. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L1046 (1990)
  23. P.R. Hageman, J. te Nijenhuis, M.J. Anders, L.J. Giling. J. Cryst. Growth, 170, 270 (1997)
  24. S. Orsila, A. Tukiainen, P. Uusimaa, J. Dekker, T. Leinonen, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 227--228, 249 (2001)
  25. V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.Y. Prints, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, A.O. Govorov. J. Exp. Theor. Phys. Lett., 66, 47 (1997)
  26. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev. Mater. Sci Semicond. Process., 39, 551 (2015)
  27. P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 495, 54 (2016)
  28. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev. Semiconductors, 49, 915 (2015)
  29. Y.I. Ukhanov. Optical properties of semiconductors (M. Nauka, 1977)
  30. J. Tauc. Optical properties of semiconductors in the visible and ultra-volet ranges. Progress in Semiconductors (Heywood, London, 1965).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.