"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080250
Яковлев Г.Е. 1, Дорохин М.В. 2, Зубков В.И. 1, Дудин А.Л.3, Здоровейщев А.В. 2, Малышева Е.И.2, Данилов Ю.А.2, Звонков Б.Н.2, Кудрин А.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
Email: geyakovlev@etu.ru, dorokhin@nifti.unn.ru, vzubkovspb@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы квантово-размерные светоизлучающие и транзисторные гетероструктуры на основе GaAs, содержащие области delta-легирования, квантовые ямы InGaAs/GaAs и приповерхностные слои квантовых точек InAs/GaAs. Получены профили распределения концентрации свободных носителей заряда по глубине структур, определены накопленные в квантовой яме и массиве квантовых точек заряды, а также степени легирования эмиттерного и delta-слоев. Проведено моделирование зонной структуры и распределения концентрации носителей заряда по глубине образцов с различной геометрией квантовых ям. Проанализированы особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования в гетероструктурах различного типа. Для эффективного разделения откликов от близко расположенных слоев, в частности квантовой ямы и delta-слоя, предложен метод интеграции вольт-фарадных характеристик на каждом этапе травления.
  1. A.K. Geim, K.S. Novoselov. Nature Materials, 6, 183 (2007)
  2. A.K. Geim. Science, 324, 1530 (2009)
  3. V.I. Zubkov, O.V. Kucherova, A.V. Zubkova, J.E. Butler, V.A. Ilyin, A.V. Afanas'ev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev. J. Appl. Phys., 118, 145703 (2015)
  4. G. Cassabois, P. Valvin, B. Gil. Nature Photonics, 10, 262 (2016)
  5. B.K. Meyer, H. Alves, D.M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Strab burg, M. Dworzak, U. Haboeck, A.V. Rodina. Phys. Status Solidi B, 241, 231 (2004)
  6. Н.В. Кузнецова, Д.В. Нечаев, Н.М. Шмидт, С.Ю. Карпов, Н.В. Ржеуцкий, В.Е. Земляков, В.Х. Кайбышев, Д.Ю. Казанцев, С.И. Трошков, В.И, Егоркин, Б.Я. Бер, Е.В. Луценко, С.В. Иванов, В.Н. Жмерик. Письма в ЖТФ, 42, 57 (2016)
  7. D.S. Frolov, V.I. Zubkov. Semicond. Sci. Technol., 31, 125013 (2016)
  8. I.A. Karpovich, B.N. Zvonkov, N.V. Baidus, S.V. Tikhov, D.O. Filatov. Trends in nanotechnology research (N. Y., Nova Science Publishers, 2004)
  9. J.L. Primus, K-H. Choi, A. Trampert, A.M. Yakunin, J. Ferre, J.H. Wolter, W. Van Roy, J. De Boeck. J. Cryst. Growth, 280, 32 (2005)
  10. T. Mimura. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 8263 (2005)
  11. M. Golio, J. Golio. RF and Microwave Passive and Active Technologies (Boca Raton, CRC Press, 2007)
  12. M.M. Pejovic, Milic M. Pejovic. Different Types of Field-Effect Transistors --- Theory and Applications (Rijeka, InTech, 2017)
  13. T. Ambridge, M. Faktor. J. Appl. Electrochem., 5, 319 (1975)
  14. В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
  15. Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, А.В. Зубкова, Е.Е. Левина, В.И. Зубков, А.В. Соломонов, О.К. Стерлядкин, С.А. Сорокин. ФТП, 50, 324 (2016)
  16. V. Zubkov, O. Kucherova, D. Frolov, A. Zubkova. Phys. Status Solidi C, 10, 342 (2013)
  17. Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков, А.Л. Дудин, А.В. Соломникова, Е.С. Кунашик. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2, 6 (2016)
  18. М.В. Дорохин, П.Б. Демина, Н.В. Байдусь, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, М.М. Прокофьева. Поверхность, Рентген., синхр. нейтр. исслед., N 5, 34 (2010)
  19. М.В. Дорохин, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.Е. Шолина. Поверхность, Рентген., синхр. нейтр. исслед., N 6, 55 (2012).
  20. М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.В. Рыков, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, В.И. Зубков, Д.C. Фролов, Г.Е. Яковлев, А.В. Кудрин. ЖТФ, 87, 1539 (2017)
  21. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Оптич. журн., 75, 56 (2008)
  22. I.A. Karpovich, N.V. Baidus', B.N. Zvonkov, S.V. Morozov, D.O. Filatov, A.V. Zdoroveishev. Nanotechnology, 12, 425 (2001)
  23. V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70, 075312 (2004)
  24. G. Yakovlev, D. Frolov, V. Zubkov. J. Phys. Conf. Ser., 690, 012015 (2016)
  25. В.И. Зубков. ФТП, 41, 331 (2007)
  26. В.И. Зубков, И.Н. Яковлев, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин, О.В. Кучерова, В.Н. Черкасова. ФТП, 48, 944 (2014)
  27. А.Н. Петровская, В.И. Зубков. ФТП, 43, 1368 (2009)
  28. Э.Ю. Козловский. Автореф. канд. дис. (Великий Новгород, НовГУ, 2013)
  29. Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, Г.В. Медведев. ФТП, 50, 1599 (2016)
  30. А.Л. Дудин, М.С. Миронова, Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, И.В. Коган, И.В. Шуков, В.И. Зубков, Г.Ф. Глинский. Прикл. физика, 3, 78 (2017)
  31. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
  32. M.S. Mironova, V.I. Zubkov, A.L. Dudin, G.F. Glinskii. Proc. 25th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2017) p. 118
  33. R. Zucca. J. Appl. Phys., 48, 1987 (1977).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.