Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
Яковлев Г.Е.
1, Дорохин М.В.
2, Зубков В.И.
1, Дудин А.Л.
3, Здоровейщев А.В.
2, Малышева Е.И.
2, Данилов Ю.А.
2, Звонков Б.Н.
2, Кудрин А.В.
21Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия
Email: geyakovlev@etu.ru, dorokhin@nifti.unn.ru, vzubkovspb@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы квантово-размерные светоизлучающие и транзисторные гетероструктуры на основе GaAs, содержащие области delta-легирования, квантовые ямы InGaAs/GaAs и приповерхностные слои квантовых точек InAs/GaAs. Получены профили распределения концентрации свободных носителей заряда по глубине структур, определены накопленные в квантовой яме и массиве квантовых точек заряды, а также степени легирования эмиттерного и delta-слоев. Проведено моделирование зонной структуры и распределения концентрации носителей заряда по глубине образцов с различной геометрией квантовых ям. Проанализированы особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования в гетероструктурах различного типа. Для эффективного разделения откликов от близко расположенных слоев, в частности квантовой ямы и delta-слоя, предложен метод интеграции вольт-фарадных характеристик на каждом этапе травления.
- A.K. Geim, K.S. Novoselov. Nature Materials, 6, 183 (2007)
- A.K. Geim. Science, 324, 1530 (2009)
- V.I. Zubkov, O.V. Kucherova, A.V. Zubkova, J.E. Butler, V.A. Ilyin, A.V. Afanas'ev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev. J. Appl. Phys., 118, 145703 (2015)
- G. Cassabois, P. Valvin, B. Gil. Nature Photonics, 10, 262 (2016)
- B.K. Meyer, H. Alves, D.M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Strab burg, M. Dworzak, U. Haboeck, A.V. Rodina. Phys. Status Solidi B, 241, 231 (2004)
- Н.В. Кузнецова, Д.В. Нечаев, Н.М. Шмидт, С.Ю. Карпов, Н.В. Ржеуцкий, В.Е. Земляков, В.Х. Кайбышев, Д.Ю. Казанцев, С.И. Трошков, В.И, Егоркин, Б.Я. Бер, Е.В. Луценко, С.В. Иванов, В.Н. Жмерик. Письма в ЖТФ, 42, 57 (2016)
- D.S. Frolov, V.I. Zubkov. Semicond. Sci. Technol., 31, 125013 (2016)
- I.A. Karpovich, B.N. Zvonkov, N.V. Baidus, S.V. Tikhov, D.O. Filatov. Trends in nanotechnology research (N. Y., Nova Science Publishers, 2004)
- J.L. Primus, K-H. Choi, A. Trampert, A.M. Yakunin, J. Ferre, J.H. Wolter, W. Van Roy, J. De Boeck. J. Cryst. Growth, 280, 32 (2005)
- T. Mimura. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 8263 (2005)
- M. Golio, J. Golio. RF and Microwave Passive and Active Technologies (Boca Raton, CRC Press, 2007)
- M.M. Pejovic, Milic M. Pejovic. Different Types of Field-Effect Transistors --- Theory and Applications (Rijeka, InTech, 2017)
- T. Ambridge, M. Faktor. J. Appl. Electrochem., 5, 319 (1975)
- В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
- Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, А.В. Зубкова, Е.Е. Левина, В.И. Зубков, А.В. Соломонов, О.К. Стерлядкин, С.А. Сорокин. ФТП, 50, 324 (2016)
- V. Zubkov, O. Kucherova, D. Frolov, A. Zubkova. Phys. Status Solidi C, 10, 342 (2013)
- Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков, А.Л. Дудин, А.В. Соломникова, Е.С. Кунашик. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2, 6 (2016)
- М.В. Дорохин, П.Б. Демина, Н.В. Байдусь, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, М.М. Прокофьева. Поверхность, Рентген., синхр. нейтр. исслед., N 5, 34 (2010)
- М.В. Дорохин, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.Е. Шолина. Поверхность, Рентген., синхр. нейтр. исслед., N 6, 55 (2012).
- М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.В. Рыков, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, В.И. Зубков, Д.C. Фролов, Г.Е. Яковлев, А.В. Кудрин. ЖТФ, 87, 1539 (2017)
- Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Оптич. журн., 75, 56 (2008)
- I.A. Karpovich, N.V. Baidus', B.N. Zvonkov, S.V. Morozov, D.O. Filatov, A.V. Zdoroveishev. Nanotechnology, 12, 425 (2001)
- V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev, F. Bugge, M. Weyers, G. Trankle. Phys. Rev. B, 70, 075312 (2004)
- G. Yakovlev, D. Frolov, V. Zubkov. J. Phys. Conf. Ser., 690, 012015 (2016)
- В.И. Зубков. ФТП, 41, 331 (2007)
- В.И. Зубков, И.Н. Яковлев, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин, О.В. Кучерова, В.Н. Черкасова. ФТП, 48, 944 (2014)
- А.Н. Петровская, В.И. Зубков. ФТП, 43, 1368 (2009)
- Э.Ю. Козловский. Автореф. канд. дис. (Великий Новгород, НовГУ, 2013)
- Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.В. Неженцев, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, Г.В. Медведев. ФТП, 50, 1599 (2016)
- А.Л. Дудин, М.С. Миронова, Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, И.В. Коган, И.В. Шуков, В.И. Зубков, Г.Ф. Глинский. Прикл. физика, 3, 78 (2017)
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
- M.S. Mironova, V.I. Zubkov, A.L. Dudin, G.F. Glinskii. Proc. 25th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2017) p. 118
- R. Zucca. J. Appl. Phys., 48, 1987 (1977).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
