"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные свойства нанородов ZnO, синтезированных различными методами
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070126
Курбанов С.С.1, Уролов Ш.З.1, Шаймарданов З.Ш.1, Чо Х.Д.2, Канг Т.В.2
1Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Исследовательский центр квантово-функциональных полупроводников, Донгукский университет, Сеул, Республика Корея
Email: saidislam_kurbanov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 28 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Исследованы фотолюминесцентные свойства нанородов ZnO, синтезированных низкотемпературным гидротермальным и высокотемпературным парофазным методами. При комнатной температуре спектр люминесценции нанородов ZnO, выращенных высокотемпературным парофазным методом, содержит только один, сильный УФ пик при 382 нм. В то же время спектры люминесценции образцов нанородов ZnO, выращенных низкотемпературным гидротермальным методом, но с использованием различных химических реагентов, наряду с УФ пиком также содержат фиолетовую или желто-оранжевую полосы при ~401 и ~574 нм соответственно. Фиолетовая полоса люминесценции приписана дефектам или комплексам вакансии цинка, а желто-оранжевая полоса отнесена к дефектам, связанным с междоузельным кислородом.
  1. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morko c. J. Appl. Phys., 98, 041301 (2005)
  2. Z.K. Tang, G.K.L. Wang, P. Yu. Appl. Phys. Lett., 72, 3270 (1998)
  3. Q.X. Zhao, M. Willander, R.E. Morjan. Appl. Phys. Lett., 83, 165 (2003)
  4. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu. J. Appl. Phys., 98, 04130 (2005)
  5. M.H. Huang, S. Mao, H.N. Feick. Science, 292, 1897 (2001)
  6. L. Wu, L. Wu, X. Pan, F. Kong. Opt. Mater., 28, 418 (2006)
  7. J.W.P. Hsu, D.R. Tallant, R.L. Simpson, N.A. Missert, R.G. Copeland. Appl. Phys. Lett., 88, 252103 (2006)
  8. A.B. Djuriv si'c, Y.H. Leung, K.H. Tam, L. Ding, W.K. Ge, H.Y. Chen, S. Gwo. Appl. Phys. Lett., 88, 103107 (2006)
  9. X. Liu, X. Wu, H. Cao, R.P.H. Chang. J. Appl. Phys., 95, 3141 (2004)
  10. X.L. Wu, G.G. Siu, C.L. Fu, H.C. Ong. Appl. Phys. Lett., 78, 2285 (2001)
  11. K. Vanheusden, W.L. Warren, C.H. Seager, D.R. Tallant, J.A. Voigt. J. Appl. Phys., 79, 7983 (1996)
  12. F.H. Leiter, H.R. Alves, A. Hofstaetter, D.M. Hofmann, B.K. Meyer. Phys. Status Solidi B, 226, R4 (2001)
  13. S.H. Jeong, B.S. Kim, B.S. Lee. Appl. Phys. Lett., 82, 2625 (2003)
  14. G. Hua, Y. Zhang, Ch. Ye, M. Wang, L. Zhang. Nanotechnology, 18, 145605 (2007)
  15. S.S. Kurbanov, G.N. Panin, T.W. Kim, T.W. Kang. J. Luminesc., 129, 1099 (2009)
  16. Q.X. Zhao, P. Klason, M. Willander, H.M. Zhong, W. Lu, J.H. Yang. Appl. Phys. Lett., 87, 211912 (2005)
  17. B. Kumar, B. Gonga, S. Vicknesh, S.J. Chua, S. Tripathy. Appl. Phys. Lett., 89, 141901 (2006)
  18. S.S. Kurbanov, H.D. Cho, T.W. Kang. Optics Commun., 284, 240 (2011)
  19. X.M. Fan, J.S. Lian, L. Zhao, Y.H. Li. Appl. Surf. Sci., 252, 420 (2005)
  20. R.B. Kale, Y.J. Hsu, Y.F. Lin, S.Y. Lu. Sol. St. Commun., 142, 302 (2007)
  21. A.A. Chaaya, R. Viter, M. Bechelany, Z. Alute, D. Erts, A. Zalesskaya, K. Kovalevskis, V. Rouessac, V. Smyntyna, P. Miele, J. Beilstein. Nanotechnol., 4, 690 (2013)
  22. A.F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 61, 15019 (2000)
  23. P. Erhart, K. Albe, A. Klein. Phys. Rev. B, 73, 205203 (2006)
  24. A. Zubiaga, F. Tuomisto, F. Plazaola, K. Saarinen, J.A. Garcia, J.F. Rommeluere, J. Zuniga-Perez, V. Munoz-Sanjos'e. Appl. Phys. Lett., 86, 042103 (2005)
  25. D. Li, Y.H. Leung, A.B. Djuriv si'c, Z.T. Liu, M.H. Xie, S.L. Shi, S.J. Xu, W.K. Chan. Appl. Phys. Lett., 85, 1601 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.