"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Resistance switching in Ag, Au and Cu films at the percolation threshold
Переводная версия: 10.1134/S1063782618050093
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а_дк, 16-32-60028
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 16-32-00165
Правительство РФ, 074-U01
Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, #3.4903.2017/6.7
Gladskikh I.A.1, Gushchin M.G.1, Vartanyan T.A.1
1ITMO University, Saint Petersburg, Russia
Email: 138020@mail.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

A straightforward method for thin metal films production and bringing them at the percolation threshold has been developed. The method is based on the controlled thermal annealing of initially conductive metal films. Electrical conductivity studies of thin silver, gold, and copper films at the percolation threshold revealed the existence of high-resistance states (1012 Omega) and low-resistance states (103 Omega) of the films. The switching between these states under bias is reversible. The characteristic switching times are 200 ns, 2 mus, and 60 mus for silver, gold, and copper films, correspondently. Acknowledgements We are grateful to V.A. Polishchuk and to P.S. Parfenov for SEM and AFM study of samples. This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 16-32-60028 mol_dk and 16-32-00165 mol_a) and by the Government of Russian Federation (Grant 074-U01). TAV work was done in the framework of the state assignment of the Ministry of education and science of Russian Federation #3.4903.2017/6.7.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.