Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate

DOI: 10.21883/FTP.2018.05.45853.42

Переводная версия: 10.1134/S1063782618050299

Shtrom I.V.^1,2,3, Filosofov N.G.³, Agekian V.F.³, Smirnov M.B.³, Serov A.Yu.³, Reznik R.R.^1,2,4, Kudryavtsev K.E.⁵, Cirlin G.E.^1,2,4

¹St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

St. Petersburg Academic University, St. Petersburg, Russia

²Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

⁴ITMO University, Saint-Petersburg, Russia

⁵Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures RAS, Nizhny Novgorod, Russia

Email: igorstrohm@mail.ru

Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Статистика просмотров

The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures. Acknowledgments We are grateful for the support of the Ministry of education and science of the Russian Federation (state task, project No 16.2483.2017/PCh). This work was supported by the National Science Center (Poland) trough Grands No UMO-2017/25/B/ST3/02966 and DEC-2014/14/M/ST3/00484.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель