"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate
Переводная версия: 10.1134/S1063782618050299
Shtrom I.V.1,2,3, Filosofov N.G.3, Agekian V.F.3, Smirnov M.B.3, Serov A.Yu.3, Reznik R.R.1,2,4, Kudryavtsev K.E.5, Cirlin G.E.1,2,4
1St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2Institute for Analytical Instrumentation RAS, St. Petersburg, Russia
3St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
4ITMO University, Saint Petersburg, Russia
5Institute for Physics of Microstructures of RAS, Nizhny Novgorod, Russia
Email: igorstrohm@mail.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures. Acknowledgments We are grateful for the support of the Ministry of education and science of the Russian Federation (state task, project No 16.2483.2017/PCh). This work was supported by the National Science Center (Poland) trough Grands No UMO-2017/25/B/ST3/02966 and DEC-2014/14/M/ST3/00484.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.