"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний-сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл-окисел-полупроводник
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), конкурс проектов фундаментальных научных исследований , 16-07-00666
Президиум РАН, Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий
Гольдман Е.И. 1, Левашов С.А. 1, Нарышкина В.Г. 1, Чучева Г.В. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 10 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик структур металл-окисел-полупроводник (МОП) на n-Si-МОП подложках с толщиной окисла 39 Angstrem, подвергнутых повреждению при полевом стрессе. Показано, что воздействие на сверхтонкий изолирующий слой сильного, но допробойного, электрического поля приводит к образованию большого числа дополнительных пограничных локализованных электронных состояний с уровнем, отстоящим от дна зоны проводимости кремния на 0.14 эВ. Обнаружено, что перезарядка вновь образованных центров с ростом полевого напряжения обеспечивает накопление у границы раздела кремний-окисел избыточного заряда до 8·1012 см-2. Время жизни, рожденных при полевом воздействии, локальных центров составляет двое суток; после этого зависимости заряда, локализованного на границе раздела полупроводник-диэлектрик, от напряжения на затворе в состояниях до стресса и после стресса практически совпадают. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44881.8512
  1. G. Cellere, S. Gerardin, Al. Paccagnella. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices, ed. by D.M. Fleetwood, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf (CRC Press, 2008) chap. 17, p. 497
  2. E.H. Poindexter. Semicond. Sci. Technol., 4, 961 (1989)
  3. F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 27, 1651 (1980)
  4. T.R. Oldham, F.B. McLean, H.E. Boesch, J.M. McCarrity. Semicond. Sci. Technol., 4, 986 (1989)
  5. M.L. Reed. Semicond. Sci. Technol., 4, 980 (1989)
  6. M. Durr, Z. Hu, A. Biedermann, U. Hofer, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 63, 121315(R) (2001)
  7. K. Komiya, Y. Omura. J. Appl. Phys., 92, 2593 (2002)
  8. Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева ФТП, 45, 974 (2011)
  9. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices (N.J., John Willey and Sons, Inc., 2007)
  10. L.F. Lonnum, J.S. Johannessen. Electron. Lett., 22, 456 (1986)
  11. Е.И. Гольдман, А.И. Левашова, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП, 49, 483 (2015)
  12. J.Y. Kevin, H. Chenming. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 1500 (1999)
  13. E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS ( Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., John Willey and Sons, 1982).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.