"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние смещения на поведение МОП-структур при ионизирующем облучении
Александров О.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

На основе количественной модели [6] проведен анализ литературных экспериментальных данных по влиянию смещения затвора на поведение МОП-структур при ионизирующем облучении. Показано, что наряду с водородосодержащими в образцах с малым содержанием водорода имеются безводородные дырочные ловушки; и те и другие распределены неоднородно по толщине подзатворного диэлектрика. В образовании поверхностных состояний помимо ионизованного водорода принимает участие нейтральный водород, дающий основной вклад в образование поверхностных состояний при отрицательном смещении затвора. Падение сдвига порогового напряжения при высоких полях обусловлено ростом дрейфовой составляющей стока дырок на электроды.
  1. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
  2. Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986)
  3. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., 1988)
  4. В.А. Гуртов. Твердотельная электроника (М.: Техносфера, 2008) c. 67
  5. T.R. Oldham. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-50 (3), 483 (2003)
  6. О.В. Александров. ФТП, 48 (4), 523 (2014)
  7. V.V. Afanas'ev, A.J. Stesmans. Phys.: Condens. Matter., 12, 2285 (2000)
  8. V.V. Afanas'ev, A.J. Stesmans. Europhys. Lett. 53, 233 (2001)
  9. J.F. Conley, P.M. Lenahan, Y.L. Evans, R.K. Lowry, T.J. Morthorst. J. Appl. Phys., 76, 2872 (1994)
  10. M.E. Zvanut, F.J. Feigl, W.B. Fowler, J.K. Rudra, P.J. Caplan, E.H. Poindexter, J.D. Zook. Appl. Phys. Lett., 54, 2118 (1989)
  11. D. Herve, J.-L. Leray, R.A. Devine. J. Appl. Phys., 72, 3634 (1992)
  12. V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. Progr. Surf. Sci., 41, 111 (1992)
  13. F.B. Mc Lean. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-27 (6), 1651 (1980)
  14. N.S. Saks, D.B. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-36 (6), 1848 (1989)
  15. N.S. Saks, R.B. Klein, D.L. Griscom. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-35 (6), 1234 (1988)
  16. C.M. Swenson. In The Physics of SiO-=SUB=-2-=/SUB=- and its Interfaces. Ed. by S.T. Pantelides (Pergamon, N. Y., 1978) p. 328
  17. B.J. Mrstik, R.W. Rendell. J. Appl. Phys. 59, 3012 (1991)
  18. R.C. Huges. Phys. Rev. Lett., 30, 1333 (1973)
  19. S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron Dev., ED-11 (11), 749 (1967)
  20. J.M. Benedetto, H.E. Boesch. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33 (6), 1318 (1986)
  21. R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-34 (6), 1196 (1987)
  22. H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. Mc Garrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33 (6), 1191 (1986)
  23. J.R. Schwank, P.S. Winokur, F.W. Sexton, D.M. Fleetwood, J.H. Perry, P.V. Dressendorfer, D.T. Sanders, D.C. Turpin. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33 (6), 1178 (1986)
  24. J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, P.V. Dressendorfer, D.C. Turpin, D.T. Sanders. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-34 (6), 1152 (1987)
  25. M.R. Scaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, K.L. Hughes, F.W. Sexton. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-37 (6), 1632 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.