Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние смещения на поведение МОП-структур при ионизирующем облучении
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
На основе количественной модели [6] проведен анализ литературных экспериментальных данных по влиянию смещения затвора на поведение МОП-структур при ионизирующем облучении. Показано, что наряду с водородосодержащими в образцах с малым содержанием водорода имеются безводородные дырочные ловушки; и те и другие распределены неоднородно по толщине подзатворного диэлектрика. В образовании поверхностных состояний помимо ионизованного водорода принимает участие нейтральный водород, дающий основной вклад в образование поверхностных состояний при отрицательном смещении затвора. Падение сдвига порогового напряжения при высоких полях обусловлено ростом дрейфовой составляющей стока дырок на электроды.
- В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
- Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., 1988)
- В.А. Гуртов. Твердотельная электроника (М.: Техносфера, 2008) c. 67
- T.R. Oldham. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-50 (3), 483 (2003)
- О.В. Александров. ФТП, 48 (4), 523 (2014)
- V.V. Afanas'ev, A.J. Stesmans. Phys.: Condens. Matter., 12, 2285 (2000)
- V.V. Afanas'ev, A.J. Stesmans. Europhys. Lett. 53, 233 (2001)
- J.F. Conley, P.M. Lenahan, Y.L. Evans, R.K. Lowry, T.J. Morthorst. J. Appl. Phys., 76, 2872 (1994)
- M.E. Zvanut, F.J. Feigl, W.B. Fowler, J.K. Rudra, P.J. Caplan, E.H. Poindexter, J.D. Zook. Appl. Phys. Lett., 54, 2118 (1989)
- D. Herve, J.-L. Leray, R.A. Devine. J. Appl. Phys., 72, 3634 (1992)
- V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. Progr. Surf. Sci., 41, 111 (1992)
- F.B. Mc Lean. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-27 (6), 1651 (1980)
- N.S. Saks, D.B. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-36 (6), 1848 (1989)
- N.S. Saks, R.B. Klein, D.L. Griscom. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-35 (6), 1234 (1988)
- C.M. Swenson. In The Physics of SiO2 and its Interfaces. Ed. by S.T. Pantelides (Pergamon, N. Y., 1978) p. 328
- B.J. Mrstik, R.W. Rendell. J. Appl. Phys. 59, 3012 (1991)
- R.C. Huges. Phys. Rev. Lett., 30, 1333 (1973)
- S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron Dev., ED-11 (11), 749 (1967)
- J.M. Benedetto, H.E. Boesch. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33 (6), 1318 (1986)
- R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-34 (6), 1196 (1987)
- H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. Mc Garrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33 (6), 1191 (1986)
- J.R. Schwank, P.S. Winokur, F.W. Sexton, D.M. Fleetwood, J.H. Perry, P.V. Dressendorfer, D.T. Sanders, D.C. Turpin. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-33 (6), 1178 (1986)
- J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, P.V. Dressendorfer, D.C. Turpin, D.T. Sanders. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-34 (6), 1152 (1987)
- M.R. Scaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, K.L. Hughes, F.W. Sexton. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-37 (6), 1632 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
