Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: структура и оптические свойства
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия 
2Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 6 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
Изучены структурные и оптические свойства тонких пленок Ge, осажденных на полупроводниковые и изолирующие подложки и модифицированных импульсным лазерным излучением. Осаждение пленок проводилось распылением Ge-мишени пучком низкоэнергетичных ионов Xe+. Кристаллизация пленок осуществлялась наносекундными импульсами рубинового лазера (lambda=0.694 мкм) с плотностью энергии W=0.2-1.4 Дж/см2. В процессе импульсной лазерной обработки проводилось зондирование облучаемой зоны квазинепрерывным лазерным излучением (lambda=0.532 и 1.064 мкм) с регистрацией отражательной способности R(t). Проведено сравнение экспериментальных данных по времени жизни расплава Ge с расчетными, показавшее их хорошее соответствие. C использованием комплекса методов определена зависимость состава пленок, их кристалличности, уровня деформации, отражения и пропускания от режимов осаждения и отжига.
- J. Liu, L.C. Kimerling, J. Michel. Semicond. Sci. Technol., 27, 094 006 (2012)
- X. Sun, J. Liu, L.C. Kimerling, J. Michel. Appl. Phys. Lett., 95, 011 911 (2009)
- M. Kaschel, M. Schmid, M. Gollhofer, J. Werner, M. Oehme, J. Schulze. Sol. St. Electron., 83, 87 (2013)
- J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L.C. Kimerling, J. Michel. Optics Lett., 35, 679 (2010)
- R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20, 11 316 (2012)
- Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев. ЖТФ, 85 (3), в печати (2015)
- А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1983), гл. VII, с. 378
- В.А. Гуртов, Р.Н. Осауленко. Физика твердого тела для инженеров (М., Техносфера, 2007), гл. 6, с. 11
- W. Szyszko. F. Vega. C.N. Afonso. Appl. Phys. A, 61, 141 (1995)
- J.R. Meyer, M.R. Kruer, F.J. Bartoli. J. Appl. Phys., 51, 5513 (1980)
- W. Yeh, H. Chen, H. Huang, C. Hsiao, J. Jeng. Appl. Phys. Lett., 93, 094 103 (2008)
- K.N. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. Novikov, V.A. Shustov, D.A. Bizyaev, P.I. Gaiduk, G.D. Ivlev, S.L. Prokopyev. Phys. Status Solidi C, 10, 1824 (2013)
- В.А. Володин, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, Г.Ю. Михалев. ФТП, 40, 207 (2006)
- S.H. Huang, X.Y. Ma, X.J. Wang, F. Lu. Nanotechnology, 14, 25 (2003)
- A.F. Abd Rahim, M.R. Hashim, N.K. Ali., A.M. Hashim, M. Rusop, M.H. Abdullah. Microelectron. Engin., 126, 134 (2014)
- Y.-Y. Fang, J. Tolle, R. Roucka, A.V.G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, V.R. D'Costa, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 90, 061 915 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
