"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: структура и оптические свойства
Новиков Г.А.1, Баталов Р.И.1, Баязитов Р.М.1, Файзрахманов И.А.1, Лядов Н.М.1, Шустов В.А.1, Галкин К.Н.2, Галкин Н.Г.2, Чернев И.М.2, Ивлев Г.Д.3, Прокопьев С.Л.3, Гайдук П.И.3
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
2Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 6 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Изучены структурные и оптические свойства тонких пленок Ge, осажденных на полупроводниковые и изолирующие подложки и модифицированных импульсным лазерным излучением. Осаждение пленок проводилось распылением Ge-мишени пучком низкоэнергетичных ионов Xe+. Кристаллизация пленок осуществлялась наносекундными импульсами рубинового лазера (lambda=0.694 мкм) с плотностью энергии W=0.2-1.4 Дж/см2. В процессе импульсной лазерной обработки проводилось зондирование облучаемой зоны квазинепрерывным лазерным излучением (lambda=0.532 и 1.064 мкм) с регистрацией отражательной способности R(t). Проведено сравнение экспериментальных данных по времени жизни расплава Ge с расчетными, показавшее их хорошее соответствие. C использованием комплекса методов определена зависимость состава пленок, их кристалличности, уровня деформации, отражения и пропускания от режимов осаждения и отжига.
  1. J. Liu, L.C. Kimerling, J. Michel. Semicond. Sci. Technol., 27, 094 006 (2012)
  2. X. Sun, J. Liu, L.C. Kimerling, J. Michel. Appl. Phys. Lett., 95, 011 911 (2009)
  3. M. Kaschel, M. Schmid, M. Gollhofer, J. Werner, M. Oehme, J. Schulze. Sol. St. Electron., 83, 87 (2013)
  4. J. Liu, X. Sun, R. Camacho-Aguilera, L.C. Kimerling, J. Michel. Optics Lett., 35, 679 (2010)
  5. R.E. Camacho-Aguilera, Y. Cai, N. Patel, J.T. Bessette, M. Romagnoli, L.C. Kimerling, J. Michel. Opt. Express, 20, 11 316 (2012)
  6. Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев. ЖТФ, 85 (3), в печати (2015)
  7. А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1983), гл. VII, с. 378
  8. В.А. Гуртов, Р.Н. Осауленко. Физика твердого тела для инженеров (М., Техносфера, 2007), гл. 6, с. 11
  9. W. Szyszko. F. Vega. C.N. Afonso. Appl. Phys. A, 61, 141 (1995)
  10. J.R. Meyer, M.R. Kruer, F.J. Bartoli. J. Appl. Phys., 51, 5513 (1980)
  11. W. Yeh, H. Chen, H. Huang, C. Hsiao, J. Jeng. Appl. Phys. Lett., 93, 094 103 (2008)
  12. K.N. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. Novikov, V.A. Shustov, D.A. Bizyaev, P.I. Gaiduk, G.D. Ivlev, S.L. Prokopyev. Phys. Status Solidi C, 10, 1824 (2013)
  13. В.А. Володин, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, Г.Ю. Михалев. ФТП, 40, 207 (2006)
  14. S.H. Huang, X.Y. Ma, X.J. Wang, F. Lu. Nanotechnology, 14, 25 (2003)
  15. A.F. Abd Rahim, M.R. Hashim, N.K. Ali., A.M. Hashim, M. Rusop, M.H. Abdullah. Microelectron. Engin., 126, 134 (2014)
  16. Y.-Y. Fang, J. Tolle, R. Roucka, A.V.G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, V.R. D'Costa, J. Menendez. Appl. Phys. Lett., 90, 061 915 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.