"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe
Зиновьев В.А.1, Двуреченский А.В.1,2, Кучинская П.А.1, Армбристер В.А.1, Тийс С.А.1, Шкляев А.А.1, Мудрый А.В.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Развит подход к формированию упорядоченных групп наноостровков Ge (квантовых точек) при эпитаксии на поверхности гетероструктуры, представляющей собой подложку Si(100) с предварительно сформированными на ней затравками в виде нанодисков SiGe. Установлено, что наблюдаемое расположение квантовых точек в пределах группы обусловлено анизотропным характером распределения энергии упругой деформации на поверхности нанодиска SiGe, а именно существованием 4 локальных минимумов энергии, упорядоченно расположенных вдоль направлений типа [100] и [010] относительно центра затравки. На основе предложенного подхода выращены многослойные структуры с вертикально-совмещенными группами квантовых точек. Кристаллическая структура и элементный состав пространственно упорядоченных наноструктур исследовались с помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновской дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния света.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  2. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 1, 119 (2006)
  3. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
  4. J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76, 725(2004)
  5. M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291 (5503), 451 (2001)
  6. S. Kiravittaya, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Reports Progr. Phys., 72, 046 502 (2009)
  7. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.V. Dvurechenskii. Phys. Rev. B, 81, 115 434 (2010)
  8. J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996)
  9. C.-H. Lee, C. W. Liu, H.-T. Chang, S.W. Lee. J. Appl. Phys., 107, 056 103 (2010)
  10. M. Stoffel, A. Malachias, A. Rastelli, T.H. Metzger, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 94, 253 114 (2009)
  11. B. Yang, F. Liu, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 92, 025 502 (2004)
  12. G. Springholz, M. Pinczolits, V. Holy, S. Zerlauth, I. Vavra, G. Bauer. Physica E, 9, 149 (2001)
  13. В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТП, 40 (11), 1349 (2006)
  14. J.M. Hartmann, B. Gallas, J. Zhang, J.J. Harris. Semicond. Sci. Technol., 15, 370 (2000)
  15. А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. ЖЭТФ, 118 (3), 570 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.