"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоакцепторы в облученном кремнии
Стась В.Ф.1, Антонова И.В.1, Неустроев Е.П.1, Попов В.П.1, Смирнов Л.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Приводятся результаты сравнительного анализа условий формирования мелких акцепторных центров в кремнии, облученном электронами, нейтронами и высокоэнергетичными ионами в процессе высокотемпературного отжига. Показано, что введение достаточно большой, по сравнению с исходной концентрацией примесей и дефектов, концентрации радиационных нарушений решетки Si позволяет наблюдать возникновение термоакцепторов, стабильных вплоть до температуры отжига 650oC. Предполагается, что возникновение акцепторов обусловлено процессом взаимодействия фоновых акцепторных примесей (предположительно, бора) с вакансиями, "запасенными" в многовакансионных кластерах.
  1. V.V. Voronkov, R. Falster, J.C. Holzer. Electrochem. Proc., 97(22), 3 (1997)
  2. M.C. Ohmer, J.E. Lang. Appl. Phys. Lett., 34, 750 (1979)
  3. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  4. A. Agarval, K. Christinsen, D. Venables, D.M. Maher, G.A. Rozgonyi. Appl. Phys., 69(25), 3899 (1996)
  5. B.G. Svensson, C. Jagadish, A. Hallen, J. Lalita. Phys. Rev. B, 55, 10 498 (1997)
  6. R.A. Brown, O. Kononchuk, G.A. Rozgonyi. S. Koveshnikov, A.P. Khights, P.J. Simpson, F. Gonzales. J. Appl. Phys., 84, 2459 (1998)
  7. L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, L.A. Aseev. Phys. Mag. A, 77(2), 423 (1998)
  8. B.C. MacEvoy, G. Hall, K. Gill. Phys. Rev. A, 374, 12 (1996)
  9. J.W. Corbett, J.C. Bourgoin, L.J. Cheng, J.C. Correlli, J.H. Lee, P.M. Moonney, C. Weigel. In: Radiation Effects in Semiconductors, Conf. Ser. N 31 (Bristol--London, 1976),
  10. J.H. Lee, P.R. Brosious, J.W. Corbett. Rad. Eff., 22, 69 (1974)
  11. В.Ф. Стельмах, В.П. Толстых, Л.В. Цвирко. ФТП, 19(10), 1860 (1985)
  12. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 38, 1523 (1988)
  13. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
  14. G.H. Hastings, S.K. Esteicher, P.A. Fedders. Phys. Rev. B, 56, 1025 (1997)
  15. А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991)
  16. J.H. Lee, J.W. Corbett, N.N. Gerasimenko. Phys. Rev. B, 14, 4506 (1976)
  17. А.В. Двуречинский, А.А. Каранович, Р. Гритцшель, Ф. Херрман, Р. Кеглер, А.В. Рыбин. ФТТ, 40(2), 217 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.