Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термоакцепторы в облученном кремнии

Стась В.Ф.¹, Антонова И.В.¹, Неустроев Е.П.¹, Попов В.П.¹, Смирнов Л.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 3 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты сравнительного анализа условий формирования мелких акцепторных центров в кремнии, облученном электронами, нейтронами и высокоэнергетичными ионами в процессе высокотемпературного отжига. Показано, что введение достаточно большой, по сравнению с исходной концентрацией примесей и дефектов, концентрации радиационных нарушений решетки Si позволяет наблюдать возникновение термоакцепторов, стабильных вплоть до температуры отжига 650^oC. Предполагается, что возникновение акцепторов обусловлено процессом взаимодействия фоновых акцепторных примесей (предположительно, бора) с вакансиями, "запасенными" в многовакансионных кластерах.

V.V. Voronkov, R. Falster, J.C. Holzer. Electrochem. Proc., 97(22), 3 (1997)
M.C. Ohmer, J.E. Lang. Appl. Phys. Lett., 34, 750 (1979)
Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
A. Agarval, K. Christinsen, D. Venables, D.M. Maher, G.A. Rozgonyi. Appl. Phys., 69(25), 3899 (1996)
B.G. Svensson, C. Jagadish, A. Hallen, J. Lalita. Phys. Rev. B, 55, 10 498 (1997)
R.A. Brown, O. Kononchuk, G.A. Rozgonyi. S. Koveshnikov, A.P. Khights, P.J. Simpson, F. Gonzales. J. Appl. Phys., 84, 2459 (1998)
L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, L.A. Aseev. Phys. Mag. A, 77(2), 423 (1998)
B.C. MacEvoy, G. Hall, K. Gill. Phys. Rev. A, 374, 12 (1996)
J.W. Corbett, J.C. Bourgoin, L.J. Cheng, J.C. Correlli, J.H. Lee, P.M. Moonney, C. Weigel. In: Radiation Effects in Semiconductors, Conf. Ser. N 31 (Bristol--London, 1976),
J.H. Lee, P.R. Brosious, J.W. Corbett. Rad. Eff., 22, 69 (1974)
В.Ф. Стельмах, В.П. Толстых, Л.В. Цвирко. ФТП, 19(10), 1860 (1985)
D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 38, 1523 (1988)
Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
G.H. Hastings, S.K. Esteicher, P.A. Fedders. Phys. Rev. B, 56, 1025 (1997)
А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991)
J.H. Lee, J.W. Corbett, N.N. Gerasimenko. Phys. Rev. B, 14, 4506 (1976)
А.В. Двуречинский, А.А. Каранович, Р. Гритцшель, Ф. Херрман, Р. Кеглер, А.В. Рыбин. ФТТ, 40(2), 217 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель