"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сверхмелкие p+-n-переходы в Si(111): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области
Андронов А.А.1, Баграев Н.Т.2, Клячкин Л.Е.2, Маляренко А.М.2, Робозеров С.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Электронно-лучевая диагностика зондирования приповерхностной области сверхмелких p+-n-переходов электронами малых и средних энергий используется для изучения влияния кристаллографической ориентации кремниевых пластин в механизмах неравновесной диффузии бора. Проводится сравнительный анализ энергетических зависимостей коэффициента радиационной проводимости, а также его распределений по площади p+-n-переходов, полученных в кремниевых пластинах с ориентациями (111) и (100). Данная методика позволяет определить распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода, которое, как показывают результаты эксперимента, является различным для p+-n-переходов, полученных при доминировании kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов примесей диффузии в Si(111) и Si(100). Обнаружено, что механизм диффузии типа kick-out резко усиливается в кристаллографическом направлении [111], тогда как направление [100] благоприятно для диффузии бора в кремнии в условиях доминирования вакансионных механизмов. Показано, что собирание неравновесных носителей в поле p+-n-перехода может резко усилиться, если диффузионный профиль состоит из определенных комбинаций продольных и поперечных квантовых ям.
  1. N.T. Bagraev, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A. Naeser. Def. Dif. Forum, 143--147, 1003 (1997)
  2. N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, V.L. Sukhanov. Def. Dif. Forum, 103--105, 192 (1993)
  3. W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. Diffusion in Crystalline Solids (Academic Press, 1984) p. 63
  4. E. Antoncik. J. Electrochem. Soc., 141, 3593 (1994)
  5. А.Н. Андронов, Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, С.В. Робозеров. Н.С. Фараджев. ФТП, 28, 2049 (1994)
  6. А.Н. Андронов, Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, С.В. Робозеров. ФТП, 32, 137 (1998)
  7. P.S. Zalm. Rep. Prog. Phys., 58, 1321 (1995)
  8. Е.Н. Пятышев, Д.В. Кузичев. Измер. техника, N 9, 3 (1991)
  9. S. Mizho, H. Higuchi. Japan. J. Appl. Phys., 20, 739 (1981)
  10. Д. Шоу. Атомная диффузия в полупроводниках (М., Мир, 1975)
  11. R.B. Fair. Dif. Def. Data, 37, 1 (1984)
  12. Н.Т. Баграев, Е.В. Владимирская, В.Э. Гасумянц, В.И. Кайданов, В.В. Кведер, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, Е.И. Чайкина. ФТП, 29, 2133 (1995)
  13. D.E. Onopko, N.T. Bagraev, A.I. Ryskin. Phys. Sol. St., 37, 1299 (1995)
  14. N.T. Bagraev, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, A. Naeser. Mater. Sci. Forum, 258--263, 1683 (1997)
  15. G.D. Watkins. Deep Centers in Semiconductors, ed. by S.T. Pantelides (N.Y., Gordon \& Brach, 1986) p. 87
  16. N.T. Bagraev, I.S. Polovtsev, K. Schmalz. Phys. St. Sol. (a), 113, 233 (1989)
  17. K. Schmalz, F.-G. Kirscht, H. Klose, H. Richter, K. Tittelbach-Helmrich. Phys. St. Sol. (a), 100, 567 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.