"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К теории фотогальванических эффектов в кристаллах без центра инверсии
Расулов Р.Я.1, Саленко Ю.Е.1, Тухтаматов А.1, Эски Т.1, Авлияев А.Э.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Теоретически рассматриваются фотонные механизмы сдвигового и баллистического линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках с вырожденной валентной зоной, обусловленные как сдвигом дырок в реальном пространстве при прямых оптических переходах между ветвями валентной зоны, так и асимметрией электрон-фононного взаимодействия с учетом фрелиховского электрон-фононного взаимодействия. Получены температурная и частотная зависимости фототока, результаты сравниваются с экспериментальными данными для p-GaAs. Рассчитаны коэффициент поглощения света, токи увлечения электронов фотонами и сдвиговый линейный фотогальванический эффект (СЛФГЭ) в кристаллах без центра инверсии, обусловленные прямыми оптическими переходами, сопровождаемые переворотом спина электронов. Учтены вклады в ток увлечения, возникающие при учете волнового вектора фотона не только в законе сохранения энергии, но и в законе сохранения импульса, а также при учете взаимодействия магнитного поля световой волны с магнитным моментом электронов. Рассчитан вклад изотропизации функции распределения фотоносителей в ток СЛФГЭ в полупроводниках со сложной валентной зоной и показано, что рассеяние фотоносителей на LO-фононах на каждой ступени каскадного процесса вносит вклад в ток.
  1. Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления (М., Наука, 1992)
  2. Е.Л. Ивченко. Г.Е. Пикус, Р.Я. Расулов. ФТТ, 26, 3362 (1984)
  3. Ю.Б. Лянда-Геллер, Р.Я. Расулов. ФТТ, 27, 945 (1985)
  4. А.В. Андрианов, Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Р.Я. Расулов, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, 81, 2080 (1981)
  5. A.N. Titkov, V.I. Safarov, G. Lampel. Proc. XIV Int. Conf. Phys. Semicond. (Edinburg, 1978) p. 1031
  6. В.И. Белиничер, Е.Л. Ивченко, Б.И. Стурман. ЖЭТФ, 83, 649 (1982)
  7. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  8. Р.Я. Расулов. Автореф. докт. дис. (СПб., 1993)
  9. С.Б. Арифжонов, А.М. Данишевский. ФТТ, 15, 2626 (1973)
  10. Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус. ФТТ, 16, 1933 (1974)
  11. Ф.Т. Васько. ФТП, 18, 85 (1984)
  12. Э. Нормантас. ФТП, 16, 2222 (1982)
  13. Г.Л. Бир, Э. Нормантас, Г.Е. Пикус. ФТТ, 4, 1180 (1962)
  14. Б.П. Захарченя, Д.И. Мирлин, В.И. Перель, И.И. Решина. УФН, 136, 459 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.