Вышедшие номера
К теории фотогальванических эффектов в кристаллах без центра инверсии
Расулов Р.Я.1, Саленко Ю.Е.1, Тухтаматов А.1, Эски Т.1, Авлияев А.Э.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Теоретически рассматриваются фотонные механизмы сдвигового и баллистического линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках с вырожденной валентной зоной, обусловленные как сдвигом дырок в реальном пространстве при прямых оптических переходах между ветвями валентной зоны, так и асимметрией электрон-фононного взаимодействия с учетом фрелиховского электрон-фононного взаимодействия. Получены температурная и частотная зависимости фототока, результаты сравниваются с экспериментальными данными для p-GaAs. Рассчитаны коэффициент поглощения света, токи увлечения электронов фотонами и сдвиговый линейный фотогальванический эффект (СЛФГЭ) в кристаллах без центра инверсии, обусловленные прямыми оптическими переходами, сопровождаемые переворотом спина электронов. Учтены вклады в ток увлечения, возникающие при учете волнового вектора фотона не только в законе сохранения энергии, но и в законе сохранения импульса, а также при учете взаимодействия магнитного поля световой волны с магнитным моментом электронов. Рассчитан вклад изотропизации функции распределения фотоносителей в ток СЛФГЭ в полупроводниках со сложной валентной зоной и показано, что рассеяние фотоносителей на LO-фононах на каждой ступени каскадного процесса вносит вклад в ток.