Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p⁺-n-n⁺-структуре

Минарский А.М.¹, Родин П.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 31 мая 1996 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассматривается поперечная устойчивость фронта ударной ионизации в кремниевой p⁺-n-n⁺-структуре большой площади. Предложена аналитическая модель, обеспечивающая совместное движение фронта ионизации и процесса вытеснения основных носителей из необедненной части n-базы. Исследована устойчивость плоского фронта, вычислены инкременты нарастания и указаны физические механизмы неустойчивости. Сформулирован критерий квазиустойчивого распространения волны.

В.И. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма в ЖТФ, 5, 950 (1979)
В.М. Туркевич, И.В. Грехов. Новые методы коммуникации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
I.V. Grekhov. Sol. St. Electron., 32, 923 (1989)
B.C. Deloach, D.L. Scharfetter. IEEE Trans. Electron. Dev., 20, 9 (1970)
А.М. Минарский, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 20, вып. 12, 38 (1994)
А.М. Минарский, П.Б. Родин. ФТП, 29, 1506 (1995).
A.M. Minarsky, P.B. Rodin. Proc. of the 1995 International Semiconductor Device Research Symposium (Charlottesville, USA. Dec., 1995).
А.М. Минарский, П.Б. Родин. Прептинт N 1639, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (СПб., 1995)
М.И. Дьяконов, В.Ю. Качаровский. ЖЭТФ, 95, 1850 (1989)
C. Jacobini, C. Canali, G. Ottaviani, A. Alberigi. Sol. St. Electron., 20, 77 (1977)
В.И. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, Л.С. Костина, С.В. Шендерей. ЖТФ, 51, 1709 (1981)
С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма в ЖТФ, 14, 1526 (1989)
Ю.Д. Биленко, М.Е. Левинштейн, М.В. Попова, В.С. Юферев. ФТП, 17, 1812 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель