О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре
Минарский А.М.1, Родин П.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Рассматривается поперечная устойчивость фронта ударной ионизации в кремниевой p+-n-n+-структуре большой площади. Предложена аналитическая модель, обеспечивающая совместное движение фронта ионизации и процесса вытеснения основных носителей из необедненной части n-базы. Исследована устойчивость плоского фронта, вычислены инкременты нарастания и указаны физические механизмы неустойчивости. Сформулирован критерий квазиустойчивого распространения волны.
- В.И. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма в ЖТФ, 5, 950 (1979)
- В.М. Туркевич, И.В. Грехов. Новые методы коммуникации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
- I.V. Grekhov. Sol. St. Electron., 32, 923 (1989)
- B.C. Deloach, D.L. Scharfetter. IEEE Trans. Electron. Dev., 20, 9 (1970)
- А.М. Минарский, П.Б. Родин. Письма ЖТФ, 20, вып. 12, 38 (1994)
- А.М. Минарский, П.Б. Родин. ФТП, 29, 1506 (1995).
- A.M. Minarsky, P.B. Rodin. Proc. of the 1995 International Semiconductor Device Research Symposium (Charlottesville, USA. Dec., 1995).
- А.М. Минарский, П.Б. Родин. Прептинт N 1639, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (СПб., 1995)
- М.И. Дьяконов, В.Ю. Качаровский. ЖЭТФ, 95, 1850 (1989)
- C. Jacobini, C. Canali, G. Ottaviani, A. Alberigi. Sol. St. Electron., 20, 77 (1977)
- В.И. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, Л.С. Костина, С.В. Шендерей. ЖТФ, 51, 1709 (1981)
- С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма в ЖТФ, 14, 1526 (1989)
- Ю.Д. Биленко, М.Е. Левинштейн, М.В. Попова, В.С. Юферев. ФТП, 17, 1812 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.