"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Плотность электронных состояний "собственного" аморфного гидрированного кремния
Голикова О.А.1, Икрамов Р.Г.1, Казанин М.М.1, Мездрогина М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Приводятся результаты исследований плотности состояний g(varepsilon) "собственного" a-Si : H методом фотоиндуцированного тока, ограниченного пространственным зарядом, в структурах с барьером Шоттки. Показано, что в верхней половине щели подвижности Eg [varepsilonc/(varepsilonc-Eg/2)] g(varepsilon), определенная этим методом, совпадает с g(varepsilon), построенной как g(varepsilonF) ряда псевдолегированных образцов (при изменяющемся положении уровня Ферми varepsilonF). Показано также, что псевдолегирование связано с ростом величины g(varepsilon) в нижней половине щели подвижности [varepsilonv/(varepsilonv+Eg/2)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.