Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния

Левинштейн М.Е.¹, Мнацаканов Т.Т.², Юрков С.Н.², Palmour J.W.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия All-Russia Electrical Engineering Institute, Moscow, Russia

³CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA

Поступила в редакцию: 7 февраля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

PDF версия

Развита простая адиабатическая модель включения и распространения включенного состояния в SiC-фототиристоре, позволяющая оценить перегрев структуры с учетом величины коммутируемого тока I_max, скорости нарастания тока dI/dt, мощности/энергии используемого для коммутации ультрафиолетового источника света, площади, первоначально включаемой светом, и постоянной времени включения тиристора tau. Обоснована применимость адиабатического приближения при оценке перегрева структур. Показано, что мгновенная максимальная плотность мощности приблизительно обратно пропорциональна площади первоначального включения тиристора. Полученные оценки показывают, что во избежание недопустимого перегрева структуры значение максимальной плотности тока при включении j_max не должно превышать ~(2-3)·10⁴ А/см². Принимая для оценки j_max~ I_max/pi r²₀~ U₀/pi r²₀R_l, можно для заданного напряжения, с которого включается структура, U₀ и выбранного сопротивления нагрузки R_l оценить радиус оптического окна r₀.

D.H. Auston. Appl. Phys. Lett., 26, 101 (1975)
J.H. Hur, R. Hadizad, S.G. Hummel, K.M. Dzurko, P.D. Dapkus, H.R. Fetterman, M.A. Gundersen. IEEE Trans. Electron Dev., ED-37, 2520 (1990)
G. Bickel, P. Heremans, M. Kuijk, R. Vounkx, G. Gorghs. Appl. Phys. Lett., 70, 750 (1997)
V. Korobovand, V. Mitin. J. Appl. Phys., 79, 1143 (1996)
J.-P.Jensen, W. Merz. Proc. 2003 Particle Accelerator Conf. (May 12--16 Portland Oregon, USA, 2003) p. 749
В. Мартыненко, А. Хапугин, А. Гришанин, В. Чибиркин. Силовая электроника, N 5, 8 (2009)
M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Electron. Lett., 38, 529 (2002)
M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Proc. 2002 Eur. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM2002. Linkoping, Sweden. Mater. Sci. Forum, 433--436, 851 (2003)
S.L. Rumyantsev, M.E. Levinshtein, M.S. Shur, T. Saxena, Q.J. Zhang, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 27, 015 012 (2012)
N. Mapham. Electronics, 35, 50 (1962)
N. Dheilly, G. Paques, S. Scharnholz, P. Bevilacqua, C. Raynaud, D. Nguyen, R.W. DeDoncker, D. Planson. Electron. Lett., 47, 459 (2011)
N. Dheilly, G. Paques, S. Scharnholz, D. Planson. Abstracts 2011 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials ICSCR-2011 (Cleveland, Ohio, USA, 2011) p. 409
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. In: SiC Materials and Devices, ed. by M.S. Shur, S.L. Rumyantsev and M.E. Levinshtein (World Scientific, Singapore, 2006) v. 1
H.S. Carslow, J.C. Jager. Conduction of Heat in Solids (Oxford, 1959) [Г. Карслоу, Д. Егер. Теплопроводность твердых тел (М., Мир, 1964)]
Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe eds. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. (John Wiley \& Sons, Inc. N. Y.--Singapore--Toronto, 2001)
М.И. Дьяконов, М.Е. Левинштейн. ФТП, 12, 729 (1978)
M. Suzuki, N. Sowaki, K. Iwata, T. Nishinaga. IEEE Trans. Electron Dev., ED-29, 1222 (1982)
Q. Zhang, A. Agarwal, C. Capell, M. O'Loughlin, A. Burk, J.W. Palmour, V. Temple, A. Ogunniyi, H. O'Brein, C.J. Scozzie. Proc. 2011 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM2011, September 11-16, Cleveland, Ohio, USA, (2011) p. 409
T. Mnatsakanov, I. Rostovtsev, N. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh, S.N. Yurkov. IEEE Trans Electron Dev., 48, 1703 (2001)
M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, R. Singh, J.W. Palmour, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 48, 807 (2004)
П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Т.Т. Мнацаканов, J.W. Palmour, A.K. Agarwal. ФТП, 39, 897 (2005)
A.I. Uvarov. In: Physics of Electron-Hole Junctions and Semiconductor Devices, eds S.M. Ryvkin, Yu.V. Shnartsev (New York, NY: Consultants Bureau, 1971) p. 170--179, 216--223.
M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 307 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель