Вышедшие номера
О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN
Красавин С.Е.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 28 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Предложена теоретическая модель в рамках традиционного представления о ридовских цилиндрах для объяснения коллапса подвижности как функции концентрации свободных носителей в пленках на основе GaN. Наряду с фононными и примесными механизмами рассеяния в модели учитывается рассеяние электронов за счет заряженных дислокаций, выстроенных в стенку. Найдено выражение для высоты дрейфового барьера в зависимости от концентрации свободных носителей. На основе полученных уравнений объясняется причина зависимости положения минимума подвижности от дислокационной структуры.