Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Comparative investigation of InGaP/GaAs pseudomorphic field-effect transistors with triple doped-channel profiles

Tsai Jung-Hui¹, Guo Der-Feng², Lour Wen-Shiung³

¹Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 802, TAIWAN
²Department of Electronic Engineering, Air Force Academy, Kaohsiung, Taiwan
³Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan

Поступила в редакцию: 15 февраля 2011 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

In this article, the comparison of DC performance on InGaP/GaAs pseudomorphic field-effect transistors with tripe doped-channel profiles is demonstrated. As compared to the uniform and high-medium-low doped-channel devices, the low-medium-high doped-channel device exhibits the broadest gate voltage swing and the best device linearity because more twodimensional electron gases are formed in the heaviest doped channel to enhance the magnitude of negative threshold voltage. Experimentally, the transconductance within 50% of its maximum value for gate voltage swing is 4.62 V in the low-medium-high doped-channel device, which is greater than 3.58 (3.30) V in the uniform (high-medium-low) doped-channel device.

Y.S. Lin, B.Y. Chen. J. Electrochem. Soc., 154, H951 (2007)
M.W. Pospieszalski. IEEE Microwave Magazine, 6, 62 (2005)
L.Y. Chen, H.I. Chen, C.C. Huang, Y.W. Huang, T.H. Tsai, Y.C. Liu, T.Y. Chen, S.Y. Cheng, W.C. liu. Appl. Phys. Lett., 95, 052 105 (2009)
S.J. Yu, W.C. Hsu, Y.J. Chen, C.L. Wu. Sol. St. Electron., 50, 291 (2006)
L.W. Laih, W.S. Lour, J.H. Tsai, W.C. Liu, C.Z. Wu, K.B. Thei, R.C. Liu. Sol. St. Electron., 39, 15 (1995)
J.H. Tsai, W.S. Lour, T.Y. Weng, C.M. Li. Semiconductors, 44, 223 (2010)
S.S. Lu, C.C. Meng, Y.S. Lin, H. Lan. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 48 (1999)
K.H. Su, W.C. Hsu, C.S. Lee, P.L. Hu, Y.H. Wu, L. Chang, R.S. Hsiao, J.F. Chen, T.W. Chi. Semicond. Sci. Technol., 23, 045 012 (2008)
S.C. Yang, H.C. Chin, F.T. Chien, Y.J. Chan, J.M. Kuo. IEEE Electron. Dev. Lett., 22, 170 (2001)
D.A. Ahmari, M.T. Fresina, Q.J. Hartmann, D.W. Barlage, P.J. Mares, M. Feng, G.E. Stillman. IEEE Electron. Dev. Lett., 17, 226 (1996)
J.H. Rsai, K.P. Zhu. Mater. Chem. Phys., 82, 501 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель