"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами
Соболев Н.А.1, Калядин А.Е.1, Кютт Р.Н.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Шек Е.И.1, Афросимов В.В.1, Тетельбаум Д.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Исследованы люминесцентные и структурные свойства в n-FZ-Si и n-Cz-Si, имплантированном ионами Si с аморфизующими дозами и отожженном при 1100oC в хлорсодержащей атмосфере. Анализ спектров обратного резерфордовского рассеяния протонов в имплантированных образцах выявил формирование аморфного слоя, положение и толщина которого зависят от дозы имплантации. Методом рентгеновской дифракции обнаружено образование дефектов межузельного типа в образцах после отжигов. В спектрах фотолюминесценции при 78 K при низких уровнях возбуждения доминировала линия дислокационной люминесценции D1, которая наблюдалась и при 300 K. Положение максимума этой линии, ее полуширина и интенсивность зависели от типа Si и дозы имплантации. С увеличением мощности возбуждения люминесценции в спектре появляется непрерывная полоса. Предложена модель, объясняющая установленные закономерности в поведении спектров фотолюминесценции в зависимости от экспериментальных условий.
  1. V. Kveder, M. Badylevich, W. Schroter, M. Seibt, E. Steinman, A. Izotov. Phys. Status Solidi A, 202, 901 (2005)
  2. X. Yu, W. Seifert, O.F. Vyvenko, M. Kittler, T. Wilhelm, M. Reiche. Appl. Phys. Lett., 93, 041 108 (2008)
  3. Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
  4. Э.А. Штейнман. ФТТ, 47, 9 (2005)
  5. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 41, 555 (2007)
  6. M. Wzorek, A. Czerwinski, J. Ratajczak, A. Misiuk, B. Surma, J. Katcki. Phys. Status Solidi C. 4, 3020 (2007)
  7. T. Mchedlidze, T. Arguirov, M. Kittler, T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz. Sol. St. Phenomena, 131-- 133, 303 (2008)
  8. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТП, 39, 1271 (2005)
  9. N.A. Drozdov, A.A. Patrin, V.T. Tkachev. Phys. Statuc Solidi A, 64, K63 (1981)
  10. M. Tajima, M. Tokita, M. Warashina. Mater. Sci. Forum, 196-- 201, 1749 (1995)
  11. R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.H. Kurster, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1(1985)
  12. A.T. Blumenau, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon, T. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 87, 187 404 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.