"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование твердого раствора Bi1.9Sb0.1Te3 примесью Sn
Житинская М.К.1, Немов С.А.1,2, Мухтаров В.Р.1, Свечникова Т.Е.3
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

В твердом растворе (Bi1.9Sb0.1)1-xSnxTe3 с различным содержанием Sn измерены удельная электропроводность sigma11, коэффициенты Холла R123 и R321, коэффициенты Зеебека S11 и S33, коэффициенты Нернста--Эттингсгаузена Q123 и Q321. Показано, что легирование оловом в значительной степени модифицирует температурные зависимости кинетических коэффициентов. Изучено влияние олова на электрическую однородность образцов: увеличение количества атомов Sn, введенного в состав, повышает однородность кристаллов. Эти особенности свидетельствуют о наличии квазилокальных состояний Sn в валентной зоне Bi1.9Sb0.1Te3. В рамках однозонной модели сделаны оценки эффективной массы плотности состояний дырок md, ширины запрещенной зоны, экстраполированной к 0 K (Eg0=0.20-0.25 eV), энергии примесных состояний (ESn~40-45 meV) и параметра рассеяния (r~ 0.1-0.4). Численные значения параметра рассеяния указывают на смешанный механизм рассеяния в исследуемых образцах при доминирующем рассеянии на акустических фононах. При увеличении содержания олова в составе образцов возрастает вклад примесного рассеяния.
  1. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 40 (8), 1428 (1998)
  2. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова, Е. Мюллер. ФТТ, 38 (2), 186 (2004)
  3. Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская, Н.В. Поликарпова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23 (7), 1128 (1987)
  4. С.А. Немов, Ю.И. Равич. УФН, 168 (8), 817 (1998)
  5. Л.С. Стильбанс. Физика полупроводников (М., Сов. радио, 1967)
  6. И.В. Гасенкова, М.К. Житинская, С.А. Немов, Л.Д. Иванова. ФТТ, 44, 10 (2002)
  7. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТП, 41 (10), 1158 (2007)
  8. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.