"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние дозы облучения высокоэнергетичными протонами на подвижность электронов в кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1, Майсурадзе Н.И.1, Беридзе М.Г.1
1Грузинский технический университет (департамент физики), Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 5 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Исследовались монокристаллы n-Si, полученные методом зонной плавки, с концентрацией электронов 6·1013 см-3. Образцы облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 K в интервале доз (1.8-8.1)·1012 см-2. Измерения проводились методом Холла в интервале температур T=77-300 K. В образцах, облученных различными дозами протонов, наблюдаются резкое увеличение измеряемой эффективной холловской подвижности mueff или же наличие глубокого минимума на кривых mueff(T) в области фононного рассеяния электронов сразу после облучения или после старения образцов соответственно. Наблюдаемый эффект объясняется образованием в облученных образцах высокопроводящих (металлических) включений и изменением степени их экранирования примесно-дефектной оболочкой в зависимости от дозы облучения, времени естественного старения и температуры измерения. Примесно-дефектные оболочки вокруг металлических включений образуются в процессах изохронного отжига или естественного старения облученных образцов. В работе высказано предположение, что металлические включения, которые образуются в кристаллах n-Si при облучении протонами с энергией 25 МэВ, являются наноразмерными атомными кластерами с радиусом 80 нм.
  1. Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий (М., Атомиздат, 1971)
  2. B.R. Gossik. J. Appl. Phys., 30, 1214 (1959)
  3. И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
  4. Н.А. Ухин. ФТП, 6, 931 (1972)
  5. Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, Т.А. Пагава. ЖЭТФ, 69, 2132 (1975)
  6. В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков. ФТП, 13, 625 (1979)
  7. В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков. ФТП, 14, 1924 (1980)
  8. Т.А. Пагава, Л.С. Чхартишвили. УФЖ, 48 (3), 232 (2003)
  9. Т.А. Пагава, Н.И. Майсурадзе. ФТП, 44, 160 (2010)
  10. И.В. Антонова, С.С. Шаймиев, С.А. Смагулова. ФТП, 40, 557 (2006)
  11. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  12. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  13. А.Л. Асеев, Л.Н. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991)
  14. Р.Ф. Коноплева, В.И. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с кремнием (М., Атомиздат, 1975)
  15. L. Palmetshofer, J. Reisinger. J. Appl. Phys., 72, 21 676 (1992)
  16. P. Hazdra, J. Vobeeky. Sol. St. Phenomena, 69- 70, 545 (1999)
  17. М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
  18. В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.И. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
  19. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.