"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диода
Горбатюк А.В.1, Серков Ф.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом p-i-n-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта --- формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J>300-500 А/см2. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 1018 см-3. PACS: 44.10.+i, 85.30.Kk, 85.30.Mn
  1. А.В. Горбатюк, К.В. Игумнов. Письма ЖТФ, 34, 58 (2008)
  2. А.В. Горбатюк, И.Е. Панайотти. Письма ЖТФ, 32, 37 (2006)
  3. Ж.И. Алферов, А.И. Уваров. Электричество, N 5, 46 (1963)
  4. А.И. Бараненков, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 1, 63 (1972)
  5. И.В. Грехов, А.Е. Отблеск. ЖТФ, 54, 1787 (1984)
  6. В.П. Сондаевский, В.И. Стафеев. В сб.: Физика p-n-переходов (Рига 1966). с. 83
  7. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Solid-State Electron., 51, 955 (2007)
  8. I.V. Grekhov. Proc. 11th IEEE Int. Pulsed Power Conf. (Baltimore, Maryland, 1997), ed. by G. Cooperstein, I. Vitkovsky, v. 1, p. 425
  9. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 931 (2005)
  10. И.В. Грехов, А.К. Козлов, С.В. Коротков и др. ПТЭ, N 1, 53 (2003)
  11. IEEE Trans. Plasma Sci. (special issue), 28 (5), (2000): M.E. Savage, p. 1451; S. Schneider, T.F. Podlesak, p. 1520
  12. B.R. Geil, S.B. Bayne, D. Ibitauo, M.G. Koebke. IEEE Trans. Plasma Sci., 33, 1226 (2005)
  13. А.В. Горбатюк, Ф.Б. Серков. ФТП, 43 (8), 1065 (2009)
  14. N.H. Fletcher. Proc. IRE, 45, 863 (1957)
  15. В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1988)
  16. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Filatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  17. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38, 56 (2004)
  18. ISE Integrated Systems Engineering AG. DESSIS Ref. Manual. http://www.stanford.edu/class/ee328/Dessis/dessis.pdf
  19. D.B.M. Klaasen. Solid-State Electron., 35, 961 (1992)
  20. А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, А.М. Братковский и др. Физические величины. Справочник под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.