"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах AlxGa1-xAs
Маркосов М.С.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Выполнен анализ ширины линии основного состояния экситонного поглощения в квазибинарных твердых растворах AlxGa1-xAs (x=0.15) высокого совершенства по экспериментальным данным работы Сейсяна и др. (2005). Спектральное разложение линии 1s состояния выполнено с учетом деформационного расщепления, составляющих поглощения с лоренцевым и гауссовым контурами и перекрытия с уширяющимся при повышении температуры континуумом состояний. В связи с видом температурной зависимости поглощения, характерным для экситонных поляритонов в средах с пространственной дисперсией, выполнен анализ интегрального поглощения, с критическим значением параметра диссипативного затухания экситона Gammac=0.32 мэВ и поглощением насыщения Kmax=89.5 эВ/см, позволяющий выделить однородную составляющую уширения, которая вплоть до критической температуры Tc=155 К не превышает 0.2 мэВ. Найдено, что "естественная" ширина линии 1s-экситона не превышает 2.6 мэВ (при T=1.7 К), что согласуется с теоретическими оценками. При T=1.7-60 К неоднородное уширение экситонного максимума, связанное с локализацией и рассеянием экситонов на флуктуациях состава, более чем на порядок превышает вклады ионизированных примесей и фононов и является доминирующим, однако оно не влияет на интегральное поглощение экситонными поляритонами. PACS: 71.35.-y, 71.35.Cc, 71.36.+c, 71.55.Eq
  1. Н.Н. Аблязов, М.Э. Райх, А.Л. Эфрос. ФТТ, 24, 353 (1983)
  2. O. Goede, L. John, and D.H. Hennig. Phys. Status Solidi B, 89, K183 (1978)
  3. S.M. Lee, K.K. Bajaj. J. Appl. Phys., 73, 1788 (1993)
  4. R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov, M.A. Markosov, T.A. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.K. Bakanov, A.I. Toropov. Phys. Status. Solidi C, 2, 900 (2005)
  5. Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин, М.С. Маркосов. ФТП, 11, 1321 (2006)
  6. G. Beadie, W.S. Rabinovich, D.S. Katzer, M. Goldenberg. Phys. Rev. B, 55, 9731 (1997)
  7. Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ, 2, 373 (1994)
  8. A.R. Goni, A. Cantarero, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 41, 14 10111 (1990)
  9. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  10. Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 4 (10), 1534 (1980)
  11. V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Techn., 8 (7), 1235 (1993)
  12. Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ, 5, 869 (1998)
  13. G.N. Aliev, N.V. Lukyanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Hibbs, G. Hitrova. Phys. Status Solidi A, 93, 164 (1997)
  14. S. Rudin, T.L. Reinecke, B. Segall. Phys. Rev. B, 17, 11 218 (1990)
  15. Sadao Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
  16. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationshipin Science and Technology. New Series: Group III, v. 17. [ Physics of Group IV Elements and III-V Compounds, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, 1982)]
  17. L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
  18. M. El Allali, C.B. S rensen, E. Veje, P. Tidemand-Petersson, Phys. Rev. B, 7, 4398 (1993)
  19. K.S. Zhuravlev, A.I. Toropov, T.S. Shamirzaev, A.K. Bakarov. Appl. Phys. Lett., 9, (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.