"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs, наращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии при компьютерном управлении процессом изготовления
Кузнецов Г.Ф.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 2 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

По заданной программе компьютерного управления процессом наращивания выращены сверхрешетки типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs с числом пар чередующихся слоев N1=12, N2=6 и N3=3. Рентгеновскими методами количественного анализа измерены величины периодов T1=22 нм, T2=22.5 нм, T3=22.3 нм и концентрации InAs в твердом растворе x1=0.09, x2=0.091 и x3=0.092 в этих сверхрешетках. В сверхрешетке с N1=12 зарегистрирована пластическая деформация. В сверхрешетках с N2=6 и N3=3 пластическая деформация в процессе наращивания не произошла. Полученные величины периодов оказались примерно вдвое меньше и концентрация твердых растворов на одну треть меньше, чем задавалось компьютерной программой. Измеренные и рассчитанные величины упругих напряжений оказались равными sigma2N=2.43·106 Па и sigma2N-1=-0.88·109 Па, при которых в слоях сверхрешетки с N1=12 произошла пластическая деформация. В сверхрешетках с N2=6 и N3=3 упругие напряжения sigma2N=1.96·106 Па, sigma2N-1=-1.45·109 Па и sigma2N=0.99·106 Па, sigma2N-1=-1.88·109 Па соответственно. Они оказались недостаточными для инициирования процесса генерации дислокаций. PACS: 81.07.St, 81.70.Fy, 61.05.cp
  1. Ж.И. Алферов, Ю.В. Жиляев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 5 (1), 196 (1971)
  2. A. Segmuller, A.E. Blakeslee. J. Appl. Crystallography, N 6, 19 (1973)
  3. А.Я. Шик. ФТП, 8 (10), 1841 (1974)
  4. Ж.И. Алфёров. В кн.: Наука и человечество. Международный ежегодник (М., Знание, 1976)
  5. Р.А. Сурис. Электронная промышленность, N 5, 52 (1977).
  6. J. Hornstra, W.J. Bartels. J. Cryst. Growth, 44 (5), 513 (1978)
  7. Ю.П. Хапачев, А.В. Колпаков, Г.Ф. Кузнецов, Р.Н. Кузьмин. Кристаллография, 24 (3), 430 (1979)
  8. Ю.П. Хапачев, Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 28 (1), 27 (1983)
  9. О.Е. Коробов, Г.Ф. Кузнецов, В.Н. Маслов и др. Кристаллография, 28 (4), 647 (1983)
  10. Г.Ф. Кузнецов. Тез. докл. IV Всес. совещ. "Дефекты структуры в полупроводниках" (Новосибирск, Россия, 1984) с. 60
  11. M. Quillec, L. Goldstein, G. Le Roux, J. Burgiat. J. Appl. Phys., 55 (8), 2904 (1984)
  12. H. Ohno, R. Katsumi, T. Takama, H. Hasegawa. Jpn J. Appl. Phys., 24 (9), 1682 (1985)
  13. E. Bauer, J.H. Van der Merwe. Phys. Rev., 33 (6), 3657 (1986)
  14. T.H. Chiu, J.E. Zucker, T.K. Woodward. Appl. Phys. Lett., 59 (26), 3452 (1991)
  15. Ю.В. Гуляев, Л.Ю. Захаров, В.А. Лузанов и др. ДАН СССР, 302 (5), 1098 (1988)
  16. Г.Ф. Кузнецов. Электрон. техн., сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, N 3 (114), 39 (1985)
  17. Г.Ф. Кузнецов, А.С. Игнатьев, В.А. Кусиков. Деп. ВИНИТИ N 200 093.29.01.93
  18. Г.Ф. Кузнецов, В.А. Кусиков, А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Тез. докл. 1-й Росс. конф. по физике полупроводников (H. Новгород, Россия, 1993) т. 2, с. 60
  19. Г.Ф. Кузнецов. Автореф. докт. дис. (М., ИРЭ АН СССР, 1998)
  20. Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 45 (2), 326 (2000)
  21. Г.Ф. Кузнецов. Инж. физика, N 1, 39 (2007)
  22. Г.Ф. Кузнецов. ФТП 41 (10), 1272 (2007)
  23. А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, 32 (4), 3 (1991)
  24. А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Дифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках (М., Изд-во МГУ, 1992)
  25. Е.М. Воронкова, Б.Н. Гречушников, Г.И. Дистлер, И.П. Перов. Оптические материалы для инфракрасной техники (М., Наука, 1965)
  26. Г.Ф. Кузнецов, А.А. Телегин, Л.С. Телегина. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Наука, Новосибирск, 1975) ч. II, с. 351
  27. Г.Ф. Кузнецов. ФТП, 43 (2), 257 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.