Влияние числа пар слоев на качество сверхрешеток типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs, наращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии при компьютерном управлении процессом изготовления
Кузнецов Г.Ф.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 2 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
По заданной программе компьютерного управления процессом наращивания выращены сверхрешетки типа InxGa1-xAs/GaAs/.../(001)GaAs с числом пар чередующихся слоев N1=12, N2=6 и N3=3. Рентгеновскими методами количественного анализа измерены величины периодов T1=22 нм, T2=22.5 нм, T3=22.3 нм и концентрации InAs в твердом растворе x1=0.09, x2=0.091 и x3=0.092 в этих сверхрешетках. В сверхрешетке с N1=12 зарегистрирована пластическая деформация. В сверхрешетках с N2=6 и N3=3 пластическая деформация в процессе наращивания не произошла. Полученные величины периодов оказались примерно вдвое меньше и концентрация твердых растворов на одну треть меньше, чем задавалось компьютерной программой. Измеренные и рассчитанные величины упругих напряжений оказались равными sigma2N=2.43·106 Па и sigma2N-1=-0.88·109 Па, при которых в слоях сверхрешетки с N1=12 произошла пластическая деформация. В сверхрешетках с N2=6 и N3=3 упругие напряжения sigma2N=1.96·106 Па, sigma2N-1=-1.45·109 Па и sigma2N=0.99·106 Па, sigma2N-1=-1.88·109 Па соответственно. Они оказались недостаточными для инициирования процесса генерации дислокаций. PACS: 81.07.St, 81.70.Fy, 61.05.cp
- Ж.И. Алферов, Ю.В. Жиляев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 5 (1), 196 (1971)
- A. Segmuller, A.E. Blakeslee. J. Appl. Crystallography, N 6, 19 (1973)
- А.Я. Шик. ФТП, 8 (10), 1841 (1974)
- Ж.И. Алфёров. В кн.: Наука и человечество. Международный ежегодник (М., Знание, 1976)
- Р.А. Сурис. Электронная промышленность, N 5, 52 (1977).
- J. Hornstra, W.J. Bartels. J. Cryst. Growth, 44 (5), 513 (1978)
- Ю.П. Хапачев, А.В. Колпаков, Г.Ф. Кузнецов, Р.Н. Кузьмин. Кристаллография, 24 (3), 430 (1979)
- Ю.П. Хапачев, Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 28 (1), 27 (1983)
- О.Е. Коробов, Г.Ф. Кузнецов, В.Н. Маслов и др. Кристаллография, 28 (4), 647 (1983)
- Г.Ф. Кузнецов. Тез. докл. IV Всес. совещ. "Дефекты структуры в полупроводниках" (Новосибирск, Россия, 1984) с. 60
- M. Quillec, L. Goldstein, G. Le Roux, J. Burgiat. J. Appl. Phys., 55 (8), 2904 (1984)
- H. Ohno, R. Katsumi, T. Takama, H. Hasegawa. Jpn J. Appl. Phys., 24 (9), 1682 (1985)
- E. Bauer, J.H. Van der Merwe. Phys. Rev., 33 (6), 3657 (1986)
- T.H. Chiu, J.E. Zucker, T.K. Woodward. Appl. Phys. Lett., 59 (26), 3452 (1991)
- Ю.В. Гуляев, Л.Ю. Захаров, В.А. Лузанов и др. ДАН СССР, 302 (5), 1098 (1988)
- Г.Ф. Кузнецов. Электрон. техн., сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, N 3 (114), 39 (1985)
- Г.Ф. Кузнецов, А.С. Игнатьев, В.А. Кусиков. Деп. ВИНИТИ N 200 093.29.01.93
- Г.Ф. Кузнецов, В.А. Кусиков, А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Тез. докл. 1-й Росс. конф. по физике полупроводников (H. Новгород, Россия, 1993) т. 2, с. 60
- Г.Ф. Кузнецов. Автореф. докт. дис. (М., ИРЭ АН СССР, 1998)
- Г.Ф. Кузнецов. Кристаллография, 45 (2), 326 (2000)
- Г.Ф. Кузнецов. Инж. физика, N 1, 39 (2007)
- Г.Ф. Кузнецов. ФТП 41 (10), 1272 (2007)
- А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, 32 (4), 3 (1991)
- А.В. Колпаков, И.Р. Прудников. Дифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках (М., Изд-во МГУ, 1992)
- Е.М. Воронкова, Б.Н. Гречушников, Г.И. Дистлер, И.П. Перов. Оптические материалы для инфракрасной техники (М., Наука, 1965)
- Г.Ф. Кузнецов, А.А. Телегин, Л.С. Телегина. В кн.: Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Наука, Новосибирск, 1975) ч. II, с. 351
- Г.Ф. Кузнецов. ФТП, 43 (2), 257 (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
