Вышедшие номера
Учет спонтанной поляризации в задаче о гетероструктуре NH-SiC/3C-SiC/NH-SiC, образованной кубическим (3C) и гексагональными (NH) политипами карбида кремния
Давыдов С.Ю.1, Трошин А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Задача о трехслойной гетероструктуре NH-SiC/3C-SiC/NH-SiC с учетом спонтанной поляризации гексагональных областей рассмотрена в рамках модели, предложенной ранее для описания гетероперехода между политипами карбида кремния NH-SiC/3C-SiC. Потенциал в кубической 3C-области аппроксимировался модельной функцией, построенной из физических соображений. Значительное внимание уделено исследованию влияния спонтанной поляризации и толщины 3C-области на энергетические характеристики квантовых ям, образующихся у гетеропереходов. PACS: 73.20.-r, 73.21.Fg, 77.84.-s