Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм локальной аморфизации сильно легированного интерметаллического полупроводника Ti_1-xV_xCoSb

Ромака В.А.^1,2, Стаднык Ю.В.³, Аксельруд Л.Г.³, Ромака В.В.³, Fruchart D.⁴, Rogl P.⁵, Давыдов В.Н.³, Гореленко Ю.К.³

¹Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

²Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

³Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

⁴Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
⁵Институт физической химии университета г. Вена, А- Вена, Австрия

Поступила в редакцию: 17 июля 2007 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

PDF версия

Исследованы структурные и электрокинетические характеристики, произведен расчет распределения электронной плотности интерметаллического полупроводника TiCoSb, сильно легированного донорной примесью V (уровень легирования ~9.5·10¹⁹-1.9·10²¹ см^-3, температуры 80-380 K). Установлена различная степень заполняемости атомных позиций Co и (Ti, V) в элементарной ячейке Ti_1-xV_xCoSb, что эквивалентно введению в полупроводник двух сортов акцепторов. Обнаружен срыв металлической проводимости в полупроводнике n-типа при увеличении концентрации донорной примеси, что объясняется одновременной генерацией акцепторов. Показано, что численные методы расчета адекватно описывают физические процессы, если при построении решетки Вигнера-Зейтца учитывать величину заполняемости атомных позиций элементарной ячейки. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. PACS: 71.20.Nr, 72.20.My, 72.20.Pa

Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]
В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Ю.К. Гореленко, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)
J. Tobola, J. Pierre. J. Alloys Comp., 296, 243 (2000)
S. Ov gut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51, 10 443 (1995)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, М.Г. Шеляпина, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурин, Л.П. Ромака, Ю.К. Гореленко. ФТП, 40 (2), 136 (2006)
L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12th European Crystallographic Meeting. Collected Abstract (М., Nauka, 1989) p. 155
Г. Липсон, Г. Стипл. Интерпретация порошковых рентгенограмм (М., Мир, 1972). [Пер. с англ.: H. Lipson, H. Steeple. Interpretation of X-ray powder diffraction patterns (N.Y., St. Martin's Press, 1970)]
Б.И. Шкловский. ФТП, 7 (1), 112 (1973)
В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (7), 796 (2006)
V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, J. Tobola, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, V.F. Chekurin, A.M. Goryn. Ukr. J. Phys., 52 (5), 453 (2007)
V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, V.V. Romaka, P. Rogl, J. Tobola,Yu.K. Gorelenko, A.M. Goryn. Ukr. J. Phys., 53 (1), 42 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель