"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм локальной аморфизации сильно легированного интерметаллического полупроводника Ti1-xVxCoSb
Ромака В.А.1,2, Стаднык Ю.В.3, Аксельруд Л.Г.3, Ромака В.В.3, Fruchart D.4, Rogl P.5, Давыдов В.Н.3, Гореленко Ю.К.3
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4Лаборатория кристаллографии Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
5Институт физической химии университета г. Вена, А- Вена, Австрия
Поступила в редакцию: 17 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

Исследованы структурные и электрокинетические характеристики, произведен расчет распределения электронной плотности интерметаллического полупроводника TiCoSb, сильно легированного донорной примесью V (уровень легирования ~9.5·1019-1.9·1021 см-3, температуры 80-380 K). Установлена различная степень заполняемости атомных позиций Co и (Ti, V) в элементарной ячейке Ti1-xVxCoSb, что эквивалентно введению в полупроводник двух сортов акцепторов. Обнаружен срыв металлической проводимости в полупроводнике n-типа при увеличении концентрации донорной примеси, что объясняется одновременной генерацией акцепторов. Показано, что численные методы расчета адекватно описывают физические процессы, если при построении решетки Вигнера--Зейтца учитывать величину заполняемости атомных позиций элементарной ячейки. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского--Эфроса. PACS: 71.20.Nr, 72.20.My, 72.20.Pa
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
  2. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
  3. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]
  4. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Ю.К. Гореленко, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)
  5. J. Tobola, J. Pierre. J. Alloys Comp., 296, 243 (2000)
  6. S. Ov gut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51, 10 443 (1995)
  7. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  8. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, М.Г. Шеляпина, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурин, Л.П. Ромака, Ю.К. Гореленко. ФТП, 40 (2), 136 (2006)
  9. L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12th European Crystallographic Meeting. Collected Abstract (М., Nauka, 1989) p. 155
  10. Г. Липсон, Г. Стипл. Интерпретация порошковых рентгенограмм (М., Мир, 1972). [Пер. с англ.: H. Lipson, H. Steeple. Interpretation of X-ray powder diffraction patterns (N.Y., St. Martin's Press, 1970)]
  11. Б.И. Шкловский. ФТП, 7 (1), 112 (1973)
  12. В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (7), 796 (2006)
  13. V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, J. Tobola, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, V.F. Chekurin, A.M. Goryn. Ukr. J. Phys., 52 (5), 453 (2007)
  14. V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart, V.V. Romaka, P. Rogl, J. Tobola,Yu.K. Gorelenko, A.M. Goryn. Ukr. J. Phys., 53 (1), 42 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.