Вышедшие номера
К вопросу о происхождении полосы 1 эВ в фотолюминесценции Cd1-xZnxTe
Седов В.Е.1, Матвеев О.А.1, Терентьев А.И.1, Зеленина Н.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Исследована фотолюминесценция при 77 K образцов Cd1-xZnxTe (x=0, 0.005 и 0.01), отожженных при 900oC и давлениях паров кадмия PCd=3·104-2·105 Па. Обнаружено, что доля полосы 1 эВ в интегральной по спектру фотолюминесценции этих образцов не зависит от PCd в отличие от образцов Cd0.95Zn0.05Te, в которых она с ростом PCd увеличивается до ~90%. Полоса не сдвигается в коротковолновую область с ростом x. Подтверждено сделанное заключение о том, что в формировании свойств Cd1-xZnxTe играют роль вакансии Zn. Сделан вывод о том, что полоса 1 эВ вызывается захватом свободных дырок на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Эти уровни близки друг к другу, поэтому их трудно различить. PACS: 61.72.Ji; 71.55.Gs; 72.40.w; 78.55.Et