"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Точечные квантовые контакты в разупорядоченных Si-МОП структурах с инверсионным p-каналом: нелинейное поведение системы в продольном и поперечном электрическом поле
Веденеев А.С.1, Феклисов М.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 1 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

В условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл обсуждается поведение латеральной проводимости G мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом, обладающих высокой концентрацией встроенных (ионных) зарядов (Nt=<q 3· 1012 см-2). При температурах >=q77 K на зависимостях G от поперечного (Vg) и продольного (Vd) напряжений обнаружены: квазиплато G(Vg) при G~ 2e2/h и минимум G(Vd) при |Vd|<0.1 В (G<< e2/h). Демонстрируется соответствие данных, полученных из эффекта поля, результатам расчета характеристик точечного квантового контакта (параметры кривизны потенциала в продольном и поперечном направлениях homegax~homegay~ 10 мэВ) и порядковое отличие homegax~300 мэВ, определенного из зависимости G(Vd). Отличие связывается с нелинейностью системы квантовых контактов по отношению к продольному и поперечному электрическому полю. Показано, что число квантовых контактов на пути протекания изменяется под действием поля в диапазоне 1=<q N=<q 30. PACS: 73.40.Qv, 73.23.--b
  1. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991). [Пер. с англ.: M. Shur. GaAs Devices and Circuits (Plenum Press, N. Y.--London, 1987)]
  2. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  3. Y. Meir. Phys. Rev. Lett., 83, 3506 (1999)
  4. Й. Имри. Введение в мезоскопическую физику (М., Физматлит, 2002). [Пер. с англ.: Y. Imry. Introduction to Mesoscopic Physics (Oxford, University Press, 2002)]
  5. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  6. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Phys. Low-Dim. Structur., 6, 75 (1994)
  7. Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, А.Б. Давыдов, Е.З. Мейлихов, Н.К. Чумаков. ФТП, 35, 448 (2001)
  8. А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев. ФТП, 36, 1241 (2002)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (J. Willey \& Sons, N. Y., 1981)]
  10. E.N. Nicollian, J.R. Brews. MOS Physics and Technology (N. Y., Willey, 1982)
  11. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985). [Пер. с англ.: T. Ando, A. Fowler, and F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)]
  12. A.B. Fowler, A. Harstein. Phil. Mag. B, 42, 949 (1980)
  13. E.Z. Meilikhov. Cond-matt/0505409. http: //arxiv.org
  14. M. Buttiker. Phys. Rev. B, 41, 906 (1990)
  15. T. Ouchterlony, K.-F. Berggren. Phys. Rev. B, 52, 16 329 (1995)
  16. Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 93 (1979)
  17. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.Г. Бакшеев, А.Л. Асеев, Ж.К. Портал. Письма ЖЭТФ, 80, 688 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.