Точечные квантовые контакты в разупорядоченных Si-МОП структурах с инверсионным p-каналом: нелинейное поведение системы в продольном и поперечном электрическом поле
Веденеев А.С.1, Феклисов М.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 1 августа 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
В условиях перколяционного перехода диэлектрик-металл обсуждается поведение латеральной проводимости G мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом, обладающих высокой концентрацией встроенных (ионных) зарядов (Nt=<q 3· 1012 см-2). При температурах >=q77 K на зависимостях G от поперечного (Vg) и продольного (Vd) напряжений обнаружены: квазиплато G(Vg) при G~ 2e2/h и минимум G(Vd) при |Vd|<0.1 В (G<< e2/h). Демонстрируется соответствие данных, полученных из эффекта поля, результатам расчета характеристик точечного квантового контакта (параметры кривизны потенциала в продольном и поперечном направлениях homegax~homegay~ 10 мэВ) и порядковое отличие homegax~300 мэВ, определенного из зависимости G(Vd). Отличие связывается с нелинейностью системы квантовых контактов по отношению к продольному и поперечному электрическому полю. Показано, что число квантовых контактов на пути протекания изменяется под действием поля в диапазоне 1=<q N=<q 30. PACS: 73.40.Qv, 73.23.-b
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991). [Пер. с англ.: M. Shur. GaAs Devices and Circuits (Plenum Press, N. Y.--London, 1987)]
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
- Y. Meir. Phys. Rev. Lett., 83, 3506 (1999)
- Й. Имри. Введение в мезоскопическую физику (М., Физматлит, 2002). [Пер. с англ.: Y. Imry. Introduction to Mesoscopic Physics (Oxford, University Press, 2002)]
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Phys. Low-Dim. Structur., 6, 75 (1994)
- Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, А.Б. Давыдов, Е.З. Мейлихов, Н.К. Чумаков. ФТП, 35, 448 (2001)
- А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев. ФТП, 36, 1241 (2002)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984). [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (J. Willey \& Sons, N. Y., 1981)]
- E.N. Nicollian, J.R. Brews. MOS Physics and Technology (N. Y., Willey, 1982)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985). [Пер. с англ.: T. Ando, A. Fowler, and F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)]
- A.B. Fowler, A. Harstein. Phil. Mag. B, 42, 949 (1980)
- E.Z. Meilikhov. Cond-matt/0505409. http: //arxiv.org
- M. Buttiker. Phys. Rev. B, 41, 906 (1990)
- T. Ouchterlony, K.-F. Berggren. Phys. Rev. B, 52, 16 329 (1995)
- Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 93 (1979)
- В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.Г. Бакшеев, А.Л. Асеев, Ж.К. Портал. Письма ЖЭТФ, 80, 688 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
