Вышедшие номера
Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Бойцов А.В.1, Берт Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Чалдышев В.В.1, Яговкина М.А.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 17 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены исследования слоев GaAs, без легирования и однородно легированных фосфором (2.3 мол%), выращенных при температуре 250oC и изохронно отожженных при 400, 500, 600 и 700oC. Установлено, что легирование фосфором уменьшает количество избыточного мышьяка, захватываемого в слой в процессе роста, а также приводит к "замедлению" преципитации при последующем отжиге. В нелегированных образцах концентрация избыточного мышьяка составила ~0.2 ат%, кластеры были обнаружены после отжига при температуре 500oC. В образцах, содержащих фосфор, концентрация избыточного мышьяка составила 0.1 ат%, а кластеры обнаружены только после термообработки при 600oC. Средний размер кластеров в легированных образцах меньше по сравнению с нелегированными при равных температурах отжига. PACS: 61.46.Bc, 81.07.Bc