Вышедшие номера
Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe
Кайбышев В.Х.1, Травников В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

При T=8 K исследованы спектры экситонной люминесценции структур с одиночной квантовой ямой ZnCdSe/ZnSe. Обнаружено два типа анизотропии линейной поляризации экситонного излучения. Анизотропия первого типа соответствует поляризации излучения вдоль оси [011] и обусловлена излучением с нижнего уровня дублетного состояния тяжелых экситонов, локализованных в вытянутых вдоль оси [011] островках локализации. Второй тип анизотропии связан с процессами возбуждения свободных экситонов с волновыми векторами, превышающими волновой вектор света. Возбуждение реализуется через упругое рассеяние света на анизотропных интерфейсных шероховатостях, обусловленных ступеньками роста. Анизотропия второго типа соответствует поляризации излучения вдоль оси [0 11] и является следствием воздействия деформационных эффектов, возмущающих дырочные состояния вблизи ступенек роста. Деформация возникает в этих областях за счет разной величины постоянных решетки материала барьера и ямы. PACS: 71.35.-y, 73.20.Mf, 78.67.De