"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe
Кайбышев В.Х.1, Травников В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

При T=8 K исследованы спектры экситонной люминесценции структур с одиночной квантовой ямой ZnCdSe/ZnSe. Обнаружено два типа анизотропии линейной поляризации экситонного излучения. Анизотропия первого типа соответствует поляризации излучения вдоль оси [011] и обусловлена излучением с нижнего уровня дублетного состояния тяжелых экситонов, локализованных в вытянутых вдоль оси [011] островках локализации. Второй тип анизотропии связан с процессами возбуждения свободных экситонов с волновыми векторами, превышающими волновой вектор света. Возбуждение реализуется через упругое рассеяние света на анизотропных интерфейсных шероховатостях, обусловленных ступеньками роста. Анизотропия второго типа соответствует поляризации излучения вдоль оси [0 11] и является следствием воздействия деформационных эффектов, возмущающих дырочные состояния вблизи ступенек роста. Деформация возникает в этих областях за счет разной величины постоянных решетки материала барьера и ямы. PACS: 71.35.-y, 73.20.Mf, 78.67.De
  1. Y. Kajikawa, O. Brandt, K. Kanamoto, N. Tsukada. J. Cryst. Growth, 150, 431 (1995)
  2. S.M. Ryabchenko, Yu.G. Semenov, A.V. Komarov, T. Wojtowicz, G. Cywinski, J. Kossut. Physica E, 13, 24 (2002)
  3. O. Krebs, P. Voisin. Phys. Rev. Lett., 77, 1829 (1996)
  4. Е.Л. Ивченко, А.А. Торопов, П. Вуазен. ФТТ, 40, 1925 (1998)
  5. D. Gammon, E.S. Snow, B.V. Shanabrook, D.S. Katzer, D. Park. Apll. Phys. Lett., 76, 3005 (1996)
  6. E.L. Ivchenko. Phys. Status Solidi A, 164, 487 (1997)
  7. С.В. Гупалов, Е.Л. Ивченко, А.В. Кавокин. ЖЭТФ, 113, 703 (1998)
  8. В.В. Травников, В.Х. Кайбышев. ФТТ, 45, 1316 (2003)
  9. M.A. Herman, D. Bimberg, J. Christen. J. Appl. Phys., 70, R1 (1991)
  10. E. Runger, A. Schulzgen, F. Henneberger, R. Zimmermann. Phys. Status Solidi B, 188, 547 (1995)
  11. M. Nakayama. Sol. St. Commun., 55, 1053 (1985)
  12. L.C. Andreani, F. Bassani. Phys. Rev. B, 41, 7536 (1990)
  13. S. Jorda, U. Rossler, D. Broido. Phys. Rev. B, 48, 1669 (1993)
  14. В.М. Агранович, О.А. Дубовский. Письма ЖЭТФ, 3, 345 (1966)
  15. A.A. Gogolin, E.I. Rashba. Sol. St. Commun., 19, 1177 (1976)
  16. В.В. Травников, В.В. Криволапчук. ФТТ, 28, 1210 (1986)
  17. J. Menendez, M. Cardona. Phys. Rev. B, 31, 3696 (1985)
  18. A.J. Shields, C. Trallero-Giner, M. Cardona, H.T. Grahn, K. Ploog, V.A. Haiser, D.A. Tenne, N.T. Moshegov, A.I. Toropov. Phys. Rev. B, 46 (11), 6990 (1992)
  19. P.R. Pukite, G.S. Petrich, S. Batra, P.I. Cohen. J. Cryst. Growth, 95, 269 (1989)
  20. E.J. Heller, M.G. Lagally. Apll. Phys. Lett., 60, 2675 (1992)
  21. V. Bressler-Hill, R. Maboudian, M. Wassermeier, X.-S. Wang, K. Pond, P.M. Petroff, W.H. Weinberg. Surf. Sci., 287/288, 514 (1993)
  22. Поверхностные поляриторы, под ред. В.М. Аграновича, Д.Л. Миллса (М., Наука, 1985)
  23. A.Y. Lew, S.L. Zuo, E.T. Yu, R.H. Miles. Apll. Phys. Lett., 70, 75 (1997)
  24. Y. Toyozawa. Progr. Theor. Phys., 20, 53 (1958)
  25. M.C. Netti, M. Lepore, A. Adinolfi, R. Tommasi, I.M. Catalano, L. Vanzetti, L. Sorba, A. Franciosi. J. Appl. Phys., 80, 2908 (1996)
  26. R.F. Kopf, E.F. Schubert, T.D. Harris, R.S. Becker, G.H. Gilmer. J. Appl. Phys., 74, 6139 (1993)
  27. C.A. Warwick, R.F. Kopf. Appl. Phys. Lett., 60, 386 (1992)
  28. J.C. Woo, S.J. Rhee, Y.M. Kim, H.S. Ko, W.S. Kim, D.W. Kim. Appl. Phys. Lett., 66, 338 (1995)
  29. Р. Нокс. Теория экситонов (М., Мир, 1966)
  30. Г. Бир, Г. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  31. Питер Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.