Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) на GaAs(001) с интенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм

Шашкин В.И.¹, Данильцев В.М.¹, Дроздов М.Н.¹, Дроздов Ю.Н.¹, Гапонова Д.М.¹, Хрыкин О.И.¹, Мурель А.В.¹, Востоков Н.В.¹, Kim Taek², Park Yong-Jo²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Photonics Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology, Gyeonggi-do 449-712, Korea

Поступила в редакцию: 28 июля 2005 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован рост квантовых точек InAs(N) на GaAs в реакторе металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) пониженного давления. В качестве источника азота использован демитилгидразин. В настоящее время хорошо известно, что температура роста квантовых точек InGaAs должна быть ограничена, чтобы предотвратить нежелательные процессы взаимодиффузии атомов In и Ga, а также переиспарение атомов In. С другой стороны, толстые барьерные слои GaAs должны выращиваться при повышенной температуре из-за сильного влияния температуры роста на оптическое качество структуры. Повышение температуры подложкодержателя на 100 градусов требует прерывания процесса в реакторе МОГФЭ примерно на 2 мин. Момент прерывания процесса для подъема температуры может быть выбран в различных точках процесса: 1 - после квантовых точек, перед покрывающим слоем InGaAs; 2 - внутри процесса роста покрывающего слоя; 3 - между покрывающим слоем и барьерным GaAs; 4 - внутри барьерного слоя GaAs. Показано, что наиболее подходящим для структур с сильной фотолюминесценцией на 1.3 мкм является последний вариант, где тонкая начальная часть барьерного слоя выращивается при пониженной температуре. PACS: 78.55.-m, 81.16.-c

Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
Nano-Optoelectronics. Concepts, Physics and Devices, ed. by M. Grundman (Springer Verlag, Berlin, 2002) p. 442
Semiconductor Quantum Dots. Physics, Spectroscopy and Applications, ed. by Y. Masumoto, T. Takagahara (Springer. Berlin, 2002) p. 486
А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, М.В. Максимов, Б.В. Воловик, Д.А. Бедарев, Ю.М. Шерняков, Е.Ю. Кондратьева, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 33, 1020 (1999)
Б.А. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33, 990 (1999)
F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 64, 085 305 (2001)
T. Kita, Y. Masuda, T. Mori, O. Wada. Appl. Phys. Lett., 83, 4152 (2003)
O. Schumann, L. Geelhaar, H. Riechert, H. Cerva, G. Abstreiter. J. Appl. Phys., 96, 2832 (2004)
T. Hakkarainen, J. Toivonen, H. Koskenvaara, M. Sopanen, H. Lipsanen. J. Phys.: Condens. Matter., 16, S3009 (2004)
H.Y. Liu, R. Sellers, M. Gutierrez, K.M. Groom, W.M. Soong, M. Hopkinson, J.P.R. David, R. Beanland, T.J. Badcock, D.J. Mowbray, M.S. Skolnick. J. Appl. Phys., 96, 1988 (2004)
G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. Mereuta, J.M. Moison, J.M. Gerard, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett., 79, 2157 (2001)
H. Saito, T. Makimoto, N. Kobayashi. J. Cryst. Growth, 195, 416 (1998)
X.W. Lin, J. Washburn, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 65, 1677 (1994)
F. Patella, F. Arciprete, E. Placidi, S. Nufris, M. Fanfoni, A. Sgarlata, D. Schiumarini, A. Balzarotti. Appl. Phys. Lett., 81, 2270 (2002)
Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Поверхность. РСНИ, вып. 7, 17 (2000)
R. Sellin, F. Heinrichsdorff, Ch. Ribbat, M. Grundmann, U.W. Pohl, D. Bimberg. J. Cryst. Growth, 221, 581 (2000)
G. Saint-Girons, G. Patriarche, L. Largeau, J. Coelho, A. Mereuta, J.M. Gerard, I. Sagnes. J. Cryst. Growth, 235, 89 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель