Вышедшие номера
Дендритные структурные неоднородности в тонких слоях Cs0.2FA0.8PbI2.93Cl0.07 для перовскитных солнечных элементов
Российский научный фонд, «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований по поручениям (указаниям) Президента Российской Федерации» (междисциплинарные проекты), 24-62-00022
Дунаевский М.С.1,2, Алексеев П.А.1,2, Смирнов А.Н.1, Гостищев П.А.3, Грень Д.О.3, Фурасова А.Д.2, Саранин Д.С.2,3, Теруков Е.И.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО (физико-технический мегафакультет), Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: Mike.Dunaeffsky@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 ноября 2024 г.
В окончательной редакции: 4 декабря 2024 г.
Принята к печати: 4 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 7 января 2025 г.

Выполнено исследование методом Кельвин-зонд микроскопии тонких пленок Cs0.2(CH(NH_2)_2)0.8PbI2.93Cl0.07 (0.5 мкм) с фронтальным пассивационным покрытием Al2O3 (10 нм). При использовании жидкофазных методов кристаллизации Cs0.2(CH(NH_2)_2)0.8PbI2.93Cl0.07 поверхностная морфология характеризуется наличием шагрени и колебаний профиля поверхности в диапазоне десятков нанометров, обусловленных наличием напряжений в кристаллической решетке. Были обнаружены дендритные структурные неоднородности с латеральными размерами 10 мкм и занимающие ~25% поверхности. Комплексный анализ кельвин-зонд микроскопии позволил определить, что состав дендритов соответствует δ-CsPbI3. Это свидетельствует о фазовой сегрегации в пленках мультикатионного состава с непассивированной фронтальной поверхностью. Показано, что при отсутствии верхнего защитного слоя исходная пленка Cs0.2(CH(NH_2)_2)0.8PbI2.93Cl0.07 распадается на дендритные области δ-CsPbI3 и окружающие области FAPbI2.93Cl0.07. При наличии фронтального пассивационного слоя Al2O3 пленка Cs0.2(CH(NH_2)_2)0.8PbI2.93Cl0.07 стабильна. Исследован фотопотенциал пленок и дендритных неоднородностей при освещении. Установлено, что при освещении рассеянным солнечным светом дендритные структуры заряжаются отрицательным зарядом и возникает остаточный потенциал Ures=-100 мВ. При выключении освещения на границах дендритных структур возникает небольшой остаточный потенциал, который ослабевает с характерным временем 20-30 мин. Ключевые слова: тонкие перовскитные пленки, сканирующая зондовая микроскопия, кельвин-зонд микроскопия, структурная неоднородность тонких пленок.