"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN / GaN-светодиодов
Бочкарева Н.И.1, Жирнов Е.А.2, Ефремов А.А.3, Ребане Ю.Т.1, Горбунов Р.И.1, Клочков А.В.1, Лавринович Д.А.1, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Physics, Bath University, UK
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Проведены температурные (77--300 K) измерения вольт-фарадных характеристик и внешней квантовой эффективности электролюминесценции голубых GaN-светодиодов с InGaN-квантовой ямой. Результаты интерпретируются с учетом влияния локализованных на интерфейсе InGaN / GaN состояний, создаваемых дефектами структуры и примесями, на емкость GaN-светодиодов. Нелинейные C-2(U)-характеристики, наблюдающиеся при малых прямых напряжениях, связываются с увеличением заряда на интерфейсе в результате туннелирования и захвата свободных электронов на состояния интерфейса. Согласно оценкам, на интерфейсе присутствуют состояния с плотностью порядка 3·1012 см-2. Рекомбинационный ток в области интерфейса приводит к подавлению инжекции носителей заряда в квантовую яму и падению эффективности электролюминесценции при больших прямых напряжениях. Процесс деградации оптической мощности светодиода, сопровождающийся ростом измеряемой емкости, связывается с увеличением плотности заряженных состояний на инетрфейсе и изменением их распределения в запрещенной зоне.
  • R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
  • Y. Zohta, H. Kuroda, R. Nii, S. Nakamura. J. Cryst. Growth, 189 / 190, 816 (1998)
  • O. Ambacher. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
  • W.G. Oldham, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 7, 153 (1964)
  • J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14, 63 (1967)
  • J. Oila, K. Saarinen, A.E. Wickenden, D.D. Koleske, R.L. Henry, M.E. Twigg. Appl. Phys. Lett., 82, 1021 (2003)
  • K.S.A. Butcher, H. Timmers, Afifuddin, P.P.-T. Chen, T.D.M. Weijers, E.M. Goldys, T.L. Tanslay, R.G. Elliman, J.A. Freitas, jr. J. Appl. Phys., 92, 3397 (2002)
  • I. Arslan, N.D. Browning. Phys. Rev. Lett., 91, 165 501 (2003)
  • J. Elsner, R. Jones, M.I. Heggie, P.K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Oberg, P.R. Briddon. Phys. Rev. B, 58, 12 571 (1998)
  • T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sekai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yanaoka, N. Yamada. Appl. Phys. Lett., 73, 1691 (1998)
  • Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
  • Н.И. Бочкарева, E.A. Zhirnov, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39 (5), 627 (2005)
  • J.S. Im, A. Moritz, F. Steuber, V. Harle, F. Scholz, A. Hangleiter. Appl. Phys. Lett., 70, 631 (1997)
  • G. Koley, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 78, 2873 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.