"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN / GaN-светодиодов
Бочкарева Н.И.1, Жирнов Е.А.2, Ефремов А.А.3, Ребане Ю.Т.1, Горбунов Р.И.1, Клочков А.В.1, Лавринович Д.А.1, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Physics, Bath University, UK
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Проведены температурные (77--300 K) измерения вольт-фарадных характеристик и внешней квантовой эффективности электролюминесценции голубых GaN-светодиодов с InGaN-квантовой ямой. Результаты интерпретируются с учетом влияния локализованных на интерфейсе InGaN / GaN состояний, создаваемых дефектами структуры и примесями, на емкость GaN-светодиодов. Нелинейные C-2(U)-характеристики, наблюдающиеся при малых прямых напряжениях, связываются с увеличением заряда на интерфейсе в результате туннелирования и захвата свободных электронов на состояния интерфейса. Согласно оценкам, на интерфейсе присутствуют состояния с плотностью порядка 3·1012 см-2. Рекомбинационный ток в области интерфейса приводит к подавлению инжекции носителей заряда в квантовую яму и падению эффективности электролюминесценции при больших прямых напряжениях. Процесс деградации оптической мощности светодиода, сопровождающийся ростом измеряемой емкости, связывается с увеличением плотности заряженных состояний на инетрфейсе и изменением их распределения в запрещенной зоне.
  1. R.L. Anderson. Sol. St. Electron., 5, 341 (1962)
  2. Y. Zohta, H. Kuroda, R. Nii, S. Nakamura. J. Cryst. Growth, 189 / 190, 816 (1998)
  3. O. Ambacher. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
  4. W.G. Oldham, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 7, 153 (1964)
  5. J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14, 63 (1967)
  6. J. Oila, K. Saarinen, A.E. Wickenden, D.D. Koleske, R.L. Henry, M.E. Twigg. Appl. Phys. Lett., 82, 1021 (2003)
  7. K.S.A. Butcher, H. Timmers, Afifuddin, P.P.-T. Chen, T.D.M. Weijers, E.M. Goldys, T.L. Tanslay, R.G. Elliman, J.A. Freitas, jr. J. Appl. Phys., 92, 3397 (2002)
  8. I. Arslan, N.D. Browning. Phys. Rev. Lett., 91, 165 501 (2003)
  9. J. Elsner, R. Jones, M.I. Heggie, P.K. Sitch, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Oberg, P.R. Briddon. Phys. Rev. B, 58, 12 571 (1998)
  10. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sekai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yanaoka, N. Yamada. Appl. Phys. Lett., 73, 1691 (1998)
  11. Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
  12. Н.И. Бочкарева, E.A. Zhirnov, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39 (5), 627 (2005)
  13. J.S. Im, A. Moritz, F. Steuber, V. Harle, F. Scholz, A. Hangleiter. Appl. Phys. Lett., 70, 631 (1997)
  14. G. Koley, M.G. Spencer. Appl. Phys. Lett., 78, 2873 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.