"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин Г.Э.1,2, Дубровский В.Г.2, Сибирев Н.В.1, Сошников И.П.2, Самсоненко Ю.Б.1,2, Тонких А.А.1,2, Устинов В.М.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Проведены теоретические и экспериментальные исследования процессов формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии нановискеров GaAs и AlGaAs на проверхности GaAs (111)B, активированной Au. Экспериментально показана возможность получения нановискеров длиной, на порядок превосходящей эффективную толщину осажденного GaAs. Обнаружено, что экспериментальная зависимость длины нановискера L от его диаметра D может иметь вид, качественно отличный от наблюдаемого при росте по механизму пар--жидкость--кристалл. Полученные в работе зависимости L(D) показывают уменьшение L при увеличении D. Обнаруженные эффекты связаны с наличием диффузионного транспорта атомов с поверхности на вершину вискера, который приводит к существенному увеличению скорости роста тонких вискеров. Развита теоретическая модель формирования нановискеров при молекулярно-пучковой эпитаксии, объединяющая механизм пар--жидкость--кристалл и диффузионную модель роста и качественно объясняющая полученные экспериментальные результаты.
  1. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi. J. Appl. Phys., 77 (2), 447 (1995)
  2. X. Duan, J. Wang, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 76 (9), 1116 (2000)
  3. Y. Cui, C.M. Lieber. Science, 91, 851 (2000)
  4. K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, K. Ogawa. Appl. Phys. Lett., 60, 745 (1992)
  5. B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 79 (20), 3335 (2001)
  6. T.I. Kamins, X. Li, R. Stanley Williams. Appl. Phys. Lett., 82, 263 (2003)
  7. J. Westwater, D.P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 554 (1997)
  8. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L.J. Lauhon, K.-H. Kim, C.M. Lieber. Science, 294, 1313 (2001)
  9. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
  10. А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП, 38 (10), 1256 (2004)
  11. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi (B), 241 (7), R30 (2004)
  12. A.Y. Cho, J.R. Arthur. Progr. Sol. St. Chem., 10, 157 (1975)
  13. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4 (5), 89 (1964)
  14. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара (М., Наука, 1977)
  15. D.N. Mcllroy, A. Alkhateeb, D. Zhang, D.E. Aston, A.C. Marcy, M.G. Norton. J. Phys.: Condens. Matter, 16, R415 (2004)
  16. Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18, 147 (1973)
  17. Н.В. Сибирев, В.Г. Дубровский. Письма ЖТФ, 30 (18), 79 (2004)
  18. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
  19. V.G. Dubrovskii, N.V. Cibirev. Phys. Rev. E, 70 (3), 031 604 (2004)
  20. W. Dittmar, K. Neumann. In: Growth and perfection of crystals, ed. by R.H. Doremus, B.W. Roberts, D. Turnball and N.Y. John (Wiley, 1958) p. 121
  21. W. Dittmar, K. Neumann. Z. Elektrochem., 64, 297 (1960)
  22. А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография, т. 3: Образование кристаллов (М., Наука, 1980)
  23. S. Koshiba, Y. Nakamura, M. Tsuchiya, H. Noge, H. Kano, Y. Nagamune, T. Noda, H. Sakaki. J. Appl. Phys., 76 (7), 4138 (1994)
  24. T. Takebe, M. Fujii, T. Yamamoto, K. Fujita, T. Watanabe. J. Appl. Phys., 81 (11), 7273 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.