Вышедшие номера
Диффузионный механизм роста нановискеров GaAs и AlGaAs в методе молекулярно-пучковой эпитаксии
Цырлин Г.Э.1,2, Дубровский В.Г.2, Сибирев Н.В.1, Сошников И.П.2, Самсоненко Ю.Б.1,2, Тонких А.А.1,2, Устинов В.М.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Проведены теоретические и экспериментальные исследования процессов формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии нановискеров GaAs и AlGaAs на проверхности GaAs (111)B, активированной Au. Экспериментально показана возможность получения нановискеров длиной, на порядок превосходящей эффективную толщину осажденного GaAs. Обнаружено, что экспериментальная зависимость длины нановискера L от его диаметра D может иметь вид, качественно отличный от наблюдаемого при росте по механизму пар-жидкость-кристалл. Полученные в работе зависимости L(D) показывают уменьшение L при увеличении D. Обнаруженные эффекты связаны с наличием диффузионного транспорта атомов с поверхности на вершину вискера, который приводит к существенному увеличению скорости роста тонких вискеров. Развита теоретическая модель формирования нановискеров при молекулярно-пучковой эпитаксии, объединяющая механизм пар-жидкость-кристалл и диффузионную модель роста и качественно объясняющая полученные экспериментальные результаты.