"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS
Морозова Н.К.1, Каретников И.А.1, Голуб К.В.1, Данилевич Н.Д.1, Лисицын В.М.2, Олешко В.И.2
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 13 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Впервые приведены экспериментальные данные, свидетельствующие о значительном уменьшении ширины запрещенной зоны твердых растворов Zn-O-S в соответствии с теорией непересекающихся зон. Показано, что эффект характерен в основном для ZnS с избытком Zn. Концентрация растворенного кислорода [OS] приводится по данным прецизионного рентгеноструктурного и химического фазового анализов. Уменьшение ширины запрещенной зоны, определенное по спектрам катодолюминесценции, составляет для сфалерита ZnS (s) 75 мэВ, а для вюрцита ZnS (w) 90 мэВ на 1 мол% ZnO и практически линейно зависит от концентрации кислорода. Увеличение [OS], кроме усиления и смещения полосы свободных экситонов (FE), способствует образованию в ZnS кислородных SA-комплексов, ответственных за свечение в видимой области спектра и полосу связанных на них экситонов I1. Энергия связи равна ~61 и ~104 мэВ соответственно для ZnS (s) и ZnS (w). Полоса I1 смещается с [OS] аналогично полосе FE. Полученные зависимости определяют положение полосы FE в бескислородном ZnS и позволяют по величине смещения ее судить о концентрации растворенного кислорода в соединении.
  1. F.A. Kroeger, J.A.M. Dikhoff. J. Electrochem. Soc., 99 (4), 144 (1952)
  2. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987)
  3. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук. ФТП, 35 (1), 25 (2001)
  4. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.М. Плотниченко, Э.В. Яшина, Е.М. Гаврищук. ФТП, 38 (1), 39 (2004)
  5. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. М. Авена и Д.С. Пренера (М., Мир, 1970)
  6. K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev. B, 39 (5), 3138 (1989)
  7. Н.К. Морозова, Л.Д. Назарова, Н.Д. Данилевич. ФТП, 28 (10), 1699 (1994)
  8. Nam Sungun, Rhee Jongkwang, O. Byungsung, Ki-Seon Lee. J. Korean Phys. Soc., 32 (2), 156 (1998)
  9. Л.Д. Назарова. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1995)
  10. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, В.К. Комарь, В.Г. Галстян, В.С. Зимогорский. ФТП, 33 (5), 569 (1999)
  11. Н.К. Морозова, А.В. Морозов, И.А. Каретников, Л.Д. Назарова, В.Г. Галстян. Неорг. матер., 30 (6), 731 (1994)
  12. М.В. Фок, Н.П. Голубева. ЖПС, 17 (2), 261 (1972)
  13. Н.К. Морозова, В.Д. Черный, Т.П. Долуханян, Ю.А. Пащенко. Изв. вузов. Физика, N 2, 60 (1987)
  14. Н.К. Морозова, О.И. Королев, М.М. Веселкова, М.М. Малов. ЖПС, 23 (1), 81 (1975)
  15. Н.К. Морозова, В.С. Зимогорский, А.В. Морозов. Неорг. матер., 29 (7), 1014 (1993)
  16. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, К.В. Голуб, Э.В. Яшина, Е.М. Гаврищук, В.Г. Плотниченко, В.Г. Галстян. Неорг. матер., 40 (11), 1138 (2004)
  17. В.В. Блинов. Автореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2003)
  18. Н.К. Морозова, В.В. Блинов, В.М. Лисицын, В.И. Олешко, С.Н. Путинцева. Матер. докл. Межд. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2004) с. 223
  19. Н.К. Морозова, Д.В. Жуков, В.Е. Мащенко. Матер. докл. XXXII Межд. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2002) с. 234
  20. M. Yoneta, K. Ishino, K. Yoshino. J. Cryst. Crowth., 237--239, 1731 (2002)
  21. W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett., 82 (6), 1221 (1999)
  22. Е.А. Захаров, И.В. Толкачев, Д.Я. Коваленко. Неорг. матер., 14 (8), 1389 (1978)
  23. Н.А. Яштулов, В.С. Зимогорский. Матер. докл. XXX Межд. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2000) с. 211
  24. Е.А. Чечеткина, С.С. Галактионов, А.А. Бундель. Неорг. матер., 14 (8), 1393 (1978)
  25. HIP --- High Isostatic Pressure. Patent US, N 6083561 (2000)
  26. К. Руманс. Структурные исследования халькогенидов при высоком давлении (М., Мир, 1969)
  27. В.М. Лисицын, В.И. Корепанов, В.И. Олешко, В.Ю. Яковлев. Изв. вузов. Физика, N 11, 5 (1996)
  28. D. Schmeltzer, R. Baserman, D. Slamovits. Phys. Rev. B, 22 (8), 4038 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.