Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC

Российский научный фонд, 22-12-00003

Лебедев А.А.¹, Малевский Д.А.¹, Козловский В.В.², Левинштейн М.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Email: Dmalevsky@scell.ioffe.ru, melev@nimis.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 22 июня 2023 г.

В окончательной редакции: 6 декабря 2023 г.

Принята к печати: 6 декабря 2023 г.

Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

PDF версия

Исследованы процессы долговременной (persistent) релаксации проводимости в карбиде кремния n-типа, облученном протонами в широком диапазоне температур облучения T_i от 23 до 500^oC. Впервые продемонстрировано, что в результате облучения (дозой 10¹⁴ см^-2) могут наблюдаться два "конкурирующих" долговременных процесса релаксации проводимости, характеристики которых существенно зависят от температуры облучения и напряжения, при котором исследуется динамика изменения проводимости. При приложении относительно небольшого постоянного напряжения вслед за первоначальным долговременным падением тока наблюдается рост тока, который также характеризуется очень широким диапазоном постоянных времени. При облучении при комнатной температуре этот диапазон может лежать в пределах от миллисекунд до сотен секунд; при облучении при повышенных температурах - от миллисекунд до сотен миллисекунд. Динамика обоих долговременных процессов зависит от приложенного напряжения. Чем выше приложенное напряжение, тем быстрее спад тока сменяется нарастанием с последующим установлением стационарного состояния. Обсуждается возможная природа наблюдающихся эффектов. Ключевые слова: карбид кремния, протонное облучение, высокотемпературное облучение, долговременная релаксация.

A.A. Lebedev. Radiation Effects in Silicon Carbide (Material Research Forum LLC, Millersville, PA 17551, USA, 6, 2017)
S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev. B, 5, 011301 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5006941
A.Y. Polyakov, S.J. Pearton, P. Frenzer, Fan Ren, Lu Liu, J. Kimd. J. Mater. Chem. C, 1, 877 (2013). DOI: 10.1039/c2tc00039c
C. Claeys, E. Simoen. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices (Springer Verlag, 2002)
H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battistig. Phys. Rev. B, 62, 10126 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.10126
L. Henry, M.-F. Barthe, C. Corbel, P. Desgardin. Phys. Rev. B, 67, 115210 (2003). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.67.115210
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti. Semicond. Sci. Technol., 21, 724 (2006). https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/6/002
V. Emtsev, A. Ivanov, V. Kozlovski, A. Lebedev, G. Oganesyan, N. Strokan, G. Wagner. ФТП, 46, 473 (2012). https://doi.org/10.1134/S1063782612040069
J. Vobecky, P. Hazdra, V. Zahlava, A. Mihaila, M. Berthou. Solid-State Electron., 94, 32 (2014). https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.02.004
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, V.V. Emtsev, G.A. Oganesyan. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 384, 100 (2016). https://doi.org/10.1016/j.nimb.2016.08.003
H. Amekura, N. Kishumoto, K. Kono. Mater. Sci. Forum, 258--263, 599 (1997). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.258-263.599
C.V. Reddy, K. Balakrishnan, H. Okumura. Appl. Phys. Lett., 73, 244 (1998). https://doi.org/10.1063/1.121769
A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, E.A. Kozhukhova, V.I. Vdovin, K. Ip, M.E. Overberg, Y.W. Heo, D.P. Norton, S.J. Pearton, J.M. Zavada, V.A. Dravin. J. Appl. Phys., 94, 2895 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1597944
W. Jianmin, X. Yiyong, Y. Jingdong, Y. Dezhuang, Z. Zhongwei. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 92, 1652 (2008). https://doi.org/10.1016/j.solmat.2008.07.017
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, J.W. Palmour. J. Appl. Phys., 123, 024502 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5018043
L. Zhao, Y. Tang, Yun Bai, M. Qiu, Zh. Wu, Yu Yang, C. Yang, X. Tian, X. Liu. Electronics, 11, 1341 (2022). https://doi.org/10.3390/electronics11091341
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М.-Л., Физматгиз, 1962)
М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25, 2065 (1991)
J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (N.Y., Pergamon Press, 1985)
Details, datasheet, quote on part number: CPW3-1700-S010B-WP. https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/ 2101/CPW3-1700-S010B-WP.php; (2021)
J. Vobecky, P. Hazdra, S. Popelka, R.K. Sharma. IEEE Trans. Electron Dev., 62, 1964 (2015). DOI: 10.1109/TED.2015.2421503
A.A. Lebedev, V.V. Kozlovski, M.E. Levinshtein, A.E. Ivanov, K.S. Davydovskaya. Solid-State Electron., 181--182, 1008009 (2021). https://doi.org/10.1016/j.sse.2021.108009
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of advanced semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc, N.Y., 2001)
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, R. Gaska, M. Asif Khan. IEE Proc. Circuits, Devices and Systems (Special Issue "Selected Topics on noise in semiconductor devices") 149, 32 (2002). ISBN-13: 978-1588830050
M. Lampert, P. Mark. Current Injection in Solids (Academic Press, N.Y.--London, 1970)
P. Hazdra, J. Vobecky. Phys. Status Solidi A, 216, 1900312 (2019). DOI: 10.1002/pssa.201900312
J. Frenkel. Phys. Rev., 54, 647 (1938). https://doi.org/10.1103/PhysRev.54.647
В.В. Козловский, O. Корольков, К.С. Давыдовская, A.А. Лебедев, М.Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А.М. Стрельчук, J. Toompuu. Письма ЖТФ, 46, 35 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.06.49163.18072
H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3604795
V.V. Kozlovski, T.I. Kolchenko, V.M. Lomako, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Solids, 138, 63 (1996). DOI: 10.31857/S1028096022060097

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель