Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 6 » Статья стр. 507
<<<>>>
Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs
DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56482.5487
РНФ, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 25/2022
Снигирев Л.А. 1, Берт Н.А.1, Преображенский В.В. 2, Путято М.А. 2, Семягин Б.Р. 2, Чалдышев В.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: leonidsnigirev17@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 22 августа 2023 г.
Принята к печати: 28 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
PDF версия
Методом просвечивающей электронной микроскопии изучалась начальная стадия формирования преципитатов при постростовом отжиге нестехиометрических GaAs и GaAs0.97Sb0.03, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией при низкой (150oC) температуре на подложке GaAs(001) с промежуточным прерыванием роста и нагревом до 250oC. Обнаружено, что кратковременный промежуточный нагрев, несмотря на низкую температуру, приводит к выпадению более крупных частиц при последующем постростовом отжиге по сравнению с материалом, не подвергавшемся такому нагреву. Этот эффект объясняется высокой концентрацией избыточного мышьяка в LT-GaAs и LT-GaAs0.97Sb0.03, выращенных при 150oC, усиленной диффузией вследствие высокой концентрации неравновесных вакансий галлия и беспороговым возникновением зародышей. Ключевые слова: нестехиометрический арсенид галлия, LT-GaAs, преципитация.
  1. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  2. H. Thomas, J.K. Luo, D.V. Morgan, M. Lipka,  E. Kohn. Semicond. Sci. Technol., 11, 1333 (1996)
  3. C. Tannoury, M. Billet, C. Coinon, J-F. Lampin, E. Peytavit. Electron. Lett., 56 (17), 897 (2020)
  4. A. Jooshesh, F. Fesharaki, V. Bahrami-Yekta, M. Mahtab, T. Tiedje, T. Darcie, R. Gordon. Opt. Express, 25 (18), 22140 (2017)
  5. E.A. Prieto, A.D.L. Reyes, V.D.A. Vistro, N.I. Cabello, M.A. Faustino, J.P. Ferrolino, J.D. Vasquez, H. Bardolaza, J.P. Afalla, V.K. Magusara, H. Kitahara, M. Tani, A. Somintac, A. Salvador, E. Estacio. Appl. Phys. Express, 13, 082012 (2020)
  6. Zhi-Chen Bai, Xin Liu, Jing Ding, Hai-Lin Cui, Bo Su, Cun-Lin Zhang. J. Mod. Opt., 68 (15), 824 (2021)
  7. O.M. Abdulmunem, K.I. Hassoon, J. Volkner, M. Mikulics, K.I. Gries, J.C. Balzer. J. Infr. Millim Terahertz Waves, 38, 574 (2017)
  8. Z. Liliental-Weber, W. Swider, K. Yu, J. Kortright, F. Smith, A. Calawa. Appl. Phys. Lett., 58, 2153 (1991)
  9. D.J. Eaglesham, L.N. Pfeiffer, K.W. West, D.R. Dykaar. Appl. Phys. Lett., 58, 65 (1991)
  10. J. Herfort, V.V. Preobrazhenskii, N. Boukos, G. Apostolopoulos, K.H. Ploog. Physica E: Low-Dim. Syst. Nanostructur., 13 (2-4), 1190 (2002)
  11. D.J. Eaglesham. J. Appl. Phys., 77 (8), 15 (1995)
  12. A.E. Yachmenev, S.S. Pushkarev, R.R. Reznik, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Progr. Cryst. Growth Charact. Mater., 66, 100485 (2020)
  13. Z. Liliental-Weber, K.M. Yu, J. Washburn, D.C. Look. J. Electron. Mater., 22, 1395 (1993)
  14. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74 (11), 1588 (1999)
  15. I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett., 83 (20), 4199 (2003)
  16. N. Bert, V. Ushanov, L. Snigirev, D. Kirilenko, V. Ulin, M. Yagovkina, V. Preobrazhenskii, M. Putyato, B. Semyagin, I. Kasatkin, V. Chaldyshev. Materials, 15, 7597 (2022)
  17. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 337 (2002)
  18. U.M. Gosele, T.Y. Tan, M. Schultz, U. Egger, P. Werner, R. Scholz. Otwin Breitenstein. Def. Dif. Forum, 143-147, 1079 (1997)
  19. D. Shaw. Diffusion in Semiconductors (Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, 2007)
  20. J. Gebauer, F. Borner, R. Krause-Rehberg, T.E.M. Staab, W. Bauer-Kugelmann, G. Kogel, W. Triftshauser, P. Specht, R.C. Lutz, E.R. Weber, M. Luysberg. J. Appl. Phys., 87 (12), 15 (2000)
  21. M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
  22. Y.K. Sin, Y. Hwang, T. Zhang, R.M. Kolbas. J. Electron. Mater., 20, 465 (1991)
  23. J.S. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, C.M. Tsai, J.C. Fan. J. Appl. Phys., 79 (2), 664 (1996)
  24. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74 (10), 1442 (1999)
  25. R. Geursen, I. Lahiri, M. Dinu, M.R. Melloch, D.D. Nolte. Phys. Rev. B, 60, 10926 (1999)
  26. V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, N.A. Bert, A.E. Romanov. J. Appl. Phys., 97, 024309 (2005)
  27. D. Bouvsa, E. Otyepkova, P. Lazar, M. Otyepka, Z. Sofer. Chem. Nano Mater., 6, 821 (2020)
  28. A. Chroneos, H.A. Tahini, U. Schwingenschlogl, R.W. Grimes. J. Appl. Phys., 116, 023505 (2014)
  29. M. Jiang, H. Xiao, S. Peng, L. Qiao, G. Yang, Z. Liu, X. Zu. Nanoscale Res. Lett., 13, 301 (2018)
  30. T.E.M. Staab, R.M. Nieminen, M. Luysberg, Th. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 95, 125502 (2005)
  31. M. Schultz, U. Egger, R. Scholz, O. Breitenstein, U. Goesele, T. Tan. J. Appl. Phys., 83, 5295 (1998)
  32. N. Engler, H.S. Leipner, R.F. Scholza, P. Werner, U. Gosele. Physica B: Condens. Matter, 308--310, 742 (2001)
  33. М.П. Анисимов. Успехи химии, 72 (7), 664 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme