Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs
РНФ, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 25/2022
Снигирев Л.А.
1, Берт Н.А.
1, Преображенский В.В.
2, Путято М.А.
2, Семягин Б.Р.
2, Чалдышев В.В.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: leonidsnigirev17@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 22 августа 2023 г.
Принята к печати: 28 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Методом просвечивающей электронной микроскопии изучалась начальная стадия формирования преципитатов при постростовом отжиге нестехиометрических GaAs и GaAs0.97Sb0.03, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией при низкой (150oC) температуре на подложке GaAs(001) с промежуточным прерыванием роста и нагревом до 250oC. Обнаружено, что кратковременный промежуточный нагрев, несмотря на низкую температуру, приводит к выпадению более крупных частиц при последующем постростовом отжиге по сравнению с материалом, не подвергавшемся такому нагреву. Этот эффект объясняется высокой концентрацией избыточного мышьяка в LT-GaAs и LT-GaAs0.97Sb0.03, выращенных при 150oC, усиленной диффузией вследствие высокой концентрации неравновесных вакансий галлия и беспороговым возникновением зародышей. Ключевые слова: нестехиометрический арсенид галлия, LT-GaAs, преципитация.
- M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
- H. Thomas, J.K. Luo, D.V. Morgan, M. Lipka, E. Kohn. Semicond. Sci. Technol., 11, 1333 (1996)
- C. Tannoury, M. Billet, C. Coinon, J-F. Lampin, E. Peytavit. Electron. Lett., 56 (17), 897 (2020)
- A. Jooshesh, F. Fesharaki, V. Bahrami-Yekta, M. Mahtab, T. Tiedje, T. Darcie, R. Gordon. Opt. Express, 25 (18), 22140 (2017)
- E.A. Prieto, A.D.L. Reyes, V.D.A. Vistro, N.I. Cabello, M.A. Faustino, J.P. Ferrolino, J.D. Vasquez, H. Bardolaza, J.P. Afalla, V.K. Magusara, H. Kitahara, M. Tani, A. Somintac, A. Salvador, E. Estacio. Appl. Phys. Express, 13, 082012 (2020)
- Zhi-Chen Bai, Xin Liu, Jing Ding, Hai-Lin Cui, Bo Su, Cun-Lin Zhang. J. Mod. Opt., 68 (15), 824 (2021)
- O.M. Abdulmunem, K.I. Hassoon, J. Volkner, M. Mikulics, K.I. Gries, J.C. Balzer. J. Infr. Millim Terahertz Waves, 38, 574 (2017)
- Z. Liliental-Weber, W. Swider, K. Yu, J. Kortright, F. Smith, A. Calawa. Appl. Phys. Lett., 58, 2153 (1991)
- D.J. Eaglesham, L.N. Pfeiffer, K.W. West, D.R. Dykaar. Appl. Phys. Lett., 58, 65 (1991)
- J. Herfort, V.V. Preobrazhenskii, N. Boukos, G. Apostolopoulos, K.H. Ploog. Physica E: Low-Dim. Syst. Nanostructur., 13 (2-4), 1190 (2002)
- D.J. Eaglesham. J. Appl. Phys., 77 (8), 15 (1995)
- A.E. Yachmenev, S.S. Pushkarev, R.R. Reznik, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev. Progr. Cryst. Growth Charact. Mater., 66, 100485 (2020)
- Z. Liliental-Weber, K.M. Yu, J. Washburn, D.C. Look. J. Electron. Mater., 22, 1395 (1993)
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74 (11), 1588 (1999)
- I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett., 83 (20), 4199 (2003)
- N. Bert, V. Ushanov, L. Snigirev, D. Kirilenko, V. Ulin, M. Yagovkina, V. Preobrazhenskii, M. Putyato, B. Semyagin, I. Kasatkin, V. Chaldyshev. Materials, 15, 7597 (2022)
- V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 337 (2002)
- U.M. Gosele, T.Y. Tan, M. Schultz, U. Egger, P. Werner, R. Scholz. Otwin Breitenstein. Def. Dif. Forum, 143-147, 1079 (1997)
- D. Shaw. Diffusion in Semiconductors (Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, 2007)
- J. Gebauer, F. Borner, R. Krause-Rehberg, T.E.M. Staab, W. Bauer-Kugelmann, G. Kogel, W. Triftshauser, P. Specht, R.C. Lutz, E.R. Weber, M. Luysberg. J. Appl. Phys., 87 (12), 15 (2000)
- M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
- Y.K. Sin, Y. Hwang, T. Zhang, R.M. Kolbas. J. Electron. Mater., 20, 465 (1991)
- J.S. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, C.M. Tsai, J.C. Fan. J. Appl. Phys., 79 (2), 664 (1996)
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74 (10), 1442 (1999)
- R. Geursen, I. Lahiri, M. Dinu, M.R. Melloch, D.D. Nolte. Phys. Rev. B, 60, 10926 (1999)
- V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, N.A. Bert, A.E. Romanov. J. Appl. Phys., 97, 024309 (2005)
- D. Bouvsa, E. Otyepkova, P. Lazar, M. Otyepka, Z. Sofer. Chem. Nano Mater., 6, 821 (2020)
- A. Chroneos, H.A. Tahini, U. Schwingenschlogl, R.W. Grimes. J. Appl. Phys., 116, 023505 (2014)
- M. Jiang, H. Xiao, S. Peng, L. Qiao, G. Yang, Z. Liu, X. Zu. Nanoscale Res. Lett., 13, 301 (2018)
- T.E.M. Staab, R.M. Nieminen, M. Luysberg, Th. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 95, 125502 (2005)
- M. Schultz, U. Egger, R. Scholz, O. Breitenstein, U. Goesele, T. Tan. J. Appl. Phys., 83, 5295 (1998)
- N. Engler, H.S. Leipner, R.F. Scholza, P. Werner, U. Gosele. Physica B: Condens. Matter, 308--310, 742 (2001)
- М.П. Анисимов. Успехи химии, 72 (7), 664 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
